Ферромагнетизм при комнатной температуре кристаллического полупроводникового соединения HG1–XFEXSE с предельно низким содержанием примесных атомов железа (X ≤ 0.06 АТ. %)

Ферромагнетизм при комнатной температуре кристаллического полупроводникового соединения HG₁_–XFE_XSE с предельно низким содержанием примесных атомов железа (X ≤ 0.06 АТ. %)

Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

DOI

https://doi.org/10.31857/S0367676523701454
Конечная издательская версия

На монокристаллах Hg1 –xFexSe (х ≤ 0.06 ат. %) с предельно низкой концентрацией примесных атомов железа при комнатной температуре (Т = 300 К) экспериментально обнаружен высокотемпературный ферромагнетизм нового типа в системе примесных донорных электронов.

Переведенное название	ROOM TEMPERATURE FERROMAGNETISM OF A CRYSTALLINE SEMICONDUCTOR COMPOUND HG1 – XFEXSE AT EXTREMELY LOW CONCENTRATION OF IMPURITY IRON ATOMS (X ≤ 0.06 AT %)
Язык оригинала	Русский
Страницы (с-по)	838-842
Число страниц	5
Журнал	Известия Российской академии наук. Серия физическая
Том	87
Номер выпуска	6
DOI	https://doi.org/10.31857/S0367676523701454
Состояние	Опубликовано - 2023

Уровень публикации

Перечень ВАК
Russian Science Citation Index

ID: 39249862