Впервые методом гидрохимического осаждения в системе In(NO3)3–C4O6H6–CSeN2H4 с использованием селенокарбамида в качестве халькогенизатора на стеклянных, ситалловых и молибденовых подложках получены пленки In2Se3 толщиной до 300 нм. Методами рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии, энергодисперсионного микроанализа и растровой электронной микроскопии установлен фазовый и элементный состав, морфологические особенности слоев, полученных при 353 и 363 K, определена оптическая ширина запрещенной зоны.