Измерено электросопротивление тонких пленок топологического изолятора (ТИ) Bi2Se3 толщиной от 10 до 75 нм в интервале температур от 4.2 до 300 K. Обнаружен размерный эффект в электропроводимости пленок Bi2Se3, т.е. линейная зависимость проводимости пленки от ее обратной толщины. Высказано предположение, что подобный эффект может наблюдаться в других ТИ и системах с неоднородным распределением тока по сечению образца.