Cинтезированы и аттестованы новые халькогениды серебра AgGe1 + xAs1 - xS3 (x = 0.1, 0.4–0.9), исследованы их электрические свойства при давлениях до 45 ГПа методом импедансной спектроскопии. В результате анализа годографов импеданса, барических зависимостей сопротивления и тангенса угла диэлектрических потерь установлены области существенных изменений электрических свойств образцов