Ссылки

Изобретение может быть использовано при изготовлении оптических материалов, устойчивых к ионизирующему излучению, являющихся пластичными, нетоксичными, негигроскопичными и высокопрозрачными на уровне теоретических значений в видимом, инфракрасном и терагерцовом диапазонах, предназначенных для лазерной техники, медицины, ИК волоконной и терагерцовой оптики, оптоэлектроники и фотоники. Сначала базовым гидрохимическим методом термозонной кристаллизации получают шихту на основе солей однофазных твёрдых растворов чистотой по катионным примесям 99,9999 мас.%. Затем шихту загружают в ампулу из стекла пирекс с отверстием в конусной части и помещают ее над ампулой для выращивания монокристаллов. Обе ампулы размещают в верхней части установки, реализующей вертикальный метод Бриджмена, где шихту расплавляют, прокапывают расплав в ампулу для выращивания монокристаллов, выдерживают в течение часа и перемещают ампулу в нижнюю зону с пониженной температурой со скоростью 0,5–1,0 мм/ч для формирования монокристаллов на основе однофазного твердого раствора. Для формирования совершенной структуры монокристалла на основе однофазного твёрдого раствора кубической сингонии структурного типа NaCl в установке проводят отжиг при 100°С в течение 20 ч. Способ выращивания галогенидсеребряных монокристаллов на основе твёрдых растворов системы AgBr0,7I0,3 – AgCl осуществляют в двух вариантах. По первому варианту высокочистую дисперсную однофазную шихту получают на основе твёрдого раствора AgBr0,7I0,3, дополнительно содержащего твёрдый раствор AgCl0,18Br0,58I0,24,при соотношении, мол. %: AgBr0,7I0,3 98,0–82,0; AgCl0,18Br0,58I0,24 2,0–18,0, расплавляют её при 410–430°С, а перемещение с указанной выше скоростью осуществляют в нижнюю зону установки, имеющую температуру 290–310°С. По второму варианту высокочистую дисперсную однофазную шихту получают на основе твёрдого раствора AgCl, дополнительно содержащего твёрдый раствор AgCl0,73Br0,19I0,08, при соотношении мол.%: AgCl 98,0–73,0; AgCl0,73Br0,19I0,08 2,0–27,0, расплавляют её при 430–490°С, а перемещение с указанной выше скоростью осуществляют в нижнюю зону установки, имеющую температуру 290–350°С. Впервые изучена фазовая диаграмма системы AgBr0,7I0,3 - AgCl. Полученные галогенидсеребряные монокристаллы устойчивы к ионизирующим излучениям и прозрачны в спектральном диапазоне от 0,4 до 50,0 мкм без окон поглощения за счёт содержания в их составе кристаллов тяжёлого по молекулярной массе йодида серебра, обладают высокой пластичностью и устойчивостью к влаге. Изделия на их основе нетоксичны. 2 н.п. ф-лы, 1 ил., 3 пр.
Переведенное названиеMethod for Growing Silver Halide Single Crystals Based on Solid Solutions of AgBr0.7I0.3 - AgCl System (Variants): patent of invention
Язык оригиналаРусский
Номер патента2807428
IPCC30B 11/02,C30B 29/12,C30B 33/02
Дата приоритета13/02/2023
Дата подачи заявки13/02/2023
СостояниеОпубликовано - 14 нояб. 2023

ID: 57423406