Методами рентгеновской дифракции и рентгеновской фотоэлектронной спектроскопии при послойном травлении исследованы тонкие поликристаллические пленки PbSe после выдержки в растворе хлорида олова(II) при температуре 353 K. Выполнено концентрационное профилирование слоев пленки толщиной до ~21 нм, определены основные химические формы элементов на ее поверхности. Показано, что контакт «пленка PbSe — водный раствор SnCl 2» приводит к вхождению олова в поверхностные слои базового материала при одновременном понижении степени совершенства его кристаллической структуры