Standard

ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ В СИСТЕМЕ CU1-XAGXGEASSE3. / Хейфец, О. Л.; Мельникова, Н. В.; Филиппов, А. Л. и др.
в: Физика твердого тела, Том 54, № 8, 2012.

Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Harvard

Хейфец, ОЛ, Мельникова, НВ, Филиппов, АЛ, Шакиров, ЭФ, Бабушкин, АН & Нугаева, ЛЛ 2012, 'ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ В СИСТЕМЕ CU1-XAGXGEASSE3', Физика твердого тела, Том. 54, № 8.

APA

Хейфец, О. Л., Мельникова, Н. В., Филиппов, А. Л., Шакиров, Э. Ф., Бабушкин, А. Н., & Нугаева, Л. Л. (2012). ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ В СИСТЕМЕ CU1-XAGXGEASSE3. Физика твердого тела, 54(8).

Vancouver

Хейфец ОЛ, Мельникова НВ, Филиппов АЛ, Шакиров ЭФ, Бабушкин АН, Нугаева ЛЛ. ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ В СИСТЕМЕ CU1-XAGXGEASSE3. Физика твердого тела. 2012;54(8).

Author

Хейфец, О. Л. ; Мельникова, Н. В. ; Филиппов, А. Л. и др. / ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ В СИСТЕМЕ CU1-XAGXGEASSE3. в: Физика твердого тела. 2012 ; Том 54, № 8.

BibTeX

@article{5a85ea644a0641b78c6730aaf2a1f01e,
title = "ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ В СИСТЕМЕ CU1-XAGXGEASSE3",
abstract = "Синтезированы и исследованы электрические свойства халькогенидов Cu1-xAgxGeAsSe3 (x=0.5, 0.8, 0.9) при низких температурах. Соединения такого типа являются электронно-ионными проводниками со смешанным характером проводимости. Показано, что замена части атомов серебра в соединении AgGeAsSe3 на атомы меди приводит к уменьшению полной проводимости, снижению доли ионной составляющей проводимости, значительному увеличению времен поляризации, повышению температуры начала заметного (по сравнению с электронным) вклада ионного переноса, понижению энергии активации носителей. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке ФЦП {"}Научные и научно-педагогические кадры инновационной России{"} на 2009-2013 гг. и гранта РФФИ N 10-02-96036.",
author = "Хейфец, {О. Л.} and Мельникова, {Н. В.} and Филиппов, {А. Л.} and Шакиров, {Э. Ф.} and Бабушкин, {А. Н.} and Нугаева, {Л. Л.}",
year = "2012",
language = "Русский",
volume = "54",
journal = "Физика твердого тела",
issn = "0367-3294",
publisher = "MEZHDUNARODNAYA KNIGA",
number = "8",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫХ ИОННЫХ ПРОВОДНИКОВ В СИСТЕМЕ CU1-XAGXGEASSE3

AU - Хейфец, О. Л.

AU - Мельникова, Н. В.

AU - Филиппов, А. Л.

AU - Шакиров, Э. Ф.

AU - Бабушкин, А. Н.

AU - Нугаева, Л. Л.

PY - 2012

Y1 - 2012

N2 - Синтезированы и исследованы электрические свойства халькогенидов Cu1-xAgxGeAsSe3 (x=0.5, 0.8, 0.9) при низких температурах. Соединения такого типа являются электронно-ионными проводниками со смешанным характером проводимости. Показано, что замена части атомов серебра в соединении AgGeAsSe3 на атомы меди приводит к уменьшению полной проводимости, снижению доли ионной составляющей проводимости, значительному увеличению времен поляризации, повышению температуры начала заметного (по сравнению с электронным) вклада ионного переноса, понижению энергии активации носителей. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 гг. и гранта РФФИ N 10-02-96036.

AB - Синтезированы и исследованы электрические свойства халькогенидов Cu1-xAgxGeAsSe3 (x=0.5, 0.8, 0.9) при низких температурах. Соединения такого типа являются электронно-ионными проводниками со смешанным характером проводимости. Показано, что замена части атомов серебра в соединении AgGeAsSe3 на атомы меди приводит к уменьшению полной проводимости, снижению доли ионной составляющей проводимости, значительному увеличению времен поляризации, повышению температуры начала заметного (по сравнению с электронным) вклада ионного переноса, понижению энергии активации носителей. Работа выполнена при частичной финансовой поддержке ФЦП "Научные и научно-педагогические кадры инновационной России" на 2009-2013 гг. и гранта РФФИ N 10-02-96036.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=20322537

M3 - Статья

VL - 54

JO - Физика твердого тела

JF - Физика твердого тела

SN - 0367-3294

IS - 8

ER -

ID: 9332646