В обзоре рассмотрено применение гидрохимических методов CBD (chemical bath deposition) и SILAR (successive ionic layer adsorption and reaction) для осаждения тонкопленочных структур, в том числе с использованием квантовых точек соединений AIIBVI и AIVBVI, в частности, сульфидов и селенидов, свинца кадмия и цинка. Материал сфокусирован на применении данных методов и материалов для создания фотоэлектрических преобразователей (ФП) солнечной энергии. Слои PbS и CdS часто используются совместно для получения гетероструктур. В обзоре приведены публикации, в которых синтез обоих слоев сульфидов для гетероструктуры проведен исключительно методами гидрохимического осаждения или SILAR. Работы, связанные с использованием пленок PbSe, CdSe и ZnS описаны отдельно для каждого материала. В таблицах приведены наиболее типичные параметры для характеристики ФП: ток короткого замыкания Iкз, напряжение холостого хода Vхх, коэффициент полезного действия (КПД), филл фактор ФФ (fill factor). В связи с этим при анализе литературных данных особое внимание уделяется выявлению факторов, оказывающих влияние на эффективность ФП. Особое внимание в статье уделено изменениям характеристик солнечных элементов под влиянием температуры обработки структуры и температуры химического синтеза. Рассмотрены электрофизические и структурные особенности материалов, меняющиеся под влиянием состава реакционной среды. Приводится описание методик синтеза для тех вариантов структур, которые показали наилучший КПД в соответствующей работе. Отдельное внимание уделяется описанию условий проведения синтеза, вариантам компоновки фотоактивных слоев, исполнения токосъемных контактов и т.п.