Приведены результаты экспериментального изучения и численного моделирования термостимулированных процессов переноса энергии электронных возбуждений в условиях протекания флуктуационного разупорядочения решетки. Сформулированная модель основана на рассмотрении потока кинетических частиц из возбужденных состояний в основное состояние через потенциальный барьер, параметры которого подвержены влиянию флуктуационного разупорядочения решетки. В рамках развиваемой модели получены соотношения, связывающие параметры термостимулированного процесса переноса энергии электронных возбуждений (средняя высота потенциального барьера E, экспериментально наблюдаемая средняя энергия активации (E) термостимулированного процесса и условие экстремума потока кинетических частиц) c параметрами процесса разупорядочения решетки. Численными расчетами для различных значений параметров флуктуационного разупорядочения получены зависимости температурного положения и амплитуды максимума потока. Детально рассмотрены два предельных случая влияния процесса разупорядочения на локальное окружение центров захвата, приводящего к уменьшению и увеличению высоты потенциального барьера центров захвата, участвующих в процессе возбуждения рекомбинационной люминесценции. Представлены экспериментальные результаты исследования термостимулированной люминесценции в режиме линейно-осциллирующего нагрева, полученные при T = 80-273 K для нелегированных монокристаллов трибората лития LiB3 O5 (LBO). Обнаружены появление так называемых спонтанных сцинтилляций (T < 180 K) и аномальный рост (E) (T = 100-140 K). Наблюдаемые особенности объяснены влиянием термостимулированного ионного процесса в литиевой подрешетке LBO, приводящего к флуктуационной перестройке локального окружения центров захвата B2+, результатом которой является уменьшение высоты потенциального барьера данных центров примерно на 20 %.