Анализ оптических свойств соединений на основе 3d-элементов позволяет получать ценную информацию об электронной структуре основного состояния и низкоэнергетических возбуждениях. Так, мы показываем, что анализ d-d-экситонов с переносом заряда в диэлектрической антиферромагнитной фазе купратов и метастабильных низкоэнергетических электронно-дырочных EH-димеров как результата их эволюции, с учетом электрон-решеточной релаксации, оказывается весьма плодотворным не только для описания линейных и нелинейных оптических свойств и фотоиндуцированных эффектов, но и для разработки перспективной модели зарядовых триплетов для описания низкоэнергетической электронной структуры и фазовых T-x-диаграмм активных CuO2-плоскостей в купратах типа T-La2CuO4 или T-Nd2CuO4, а также NiO2-плоскостей в никелатах типа RNiO2 и их эволюции при изменении основных энергетических параметров.