TY - PAT

T1 - Резистивный материал на основе стеклообразных халькогенидов с содержанием нанотрубок

T2 - патент на изобретение

AU - Мельникова, Нина Владимировна

AU - Курочка, Кирилл Викторович

AU - Паршикова, Василиса Евгеньевна

PY - 2017/3/31

Y1 - 2017/3/31

N2 - Изобретение относится к радио- и микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение промежутков времени от 20 до 70 минут при 10-150°С. Резистивный материал содержит сульфид серебра, нестехиометрический сульфид германия, нестехиометрический сульфид мышьяка и 7 атомных процентов углерода в виде одностенных нанотрубок согласно эмпирической формуле: AgGe1+xAs1-x(S+CNT)3, где 0,4≤х≤0,6. Техническим результатом является обеспечение времени релаксации электропроводности от 4 до 18 секунд и величины электросопротивления порядка 106-109 Ом⋅м, в интервале температур 10-150°С.

AB - Изобретение относится к радио- и микроэлектронике и может быть использовано в микроэлектронной аппаратуре с малыми значениями токов и напряжений, где требуются переключения в течение промежутков времени от 20 до 70 минут при 10-150°С. Резистивный материал содержит сульфид серебра, нестехиометрический сульфид германия, нестехиометрический сульфид мышьяка и 7 атомных процентов углерода в виде одностенных нанотрубок согласно эмпирической формуле: AgGe1+xAs1-x(S+CNT)3, где 0,4≤х≤0,6. Техническим результатом является обеспечение времени релаксации электропроводности от 4 до 18 секунд и величины электросопротивления порядка 106-109 Ом⋅м, в интервале температур 10-150°С.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=38261698

M3 - Патент

M1 - 2614942

Y2 - 2015/12/31

PB - Федеральный институт промышленной собственности

ER -