Ссылки

Программа предназначена для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорном сегнетоэлектрике вблизи температуры замерзания с учётом полей, создаваемых связанными зарядами на межфазной границе неполярных включений. Расчёт пространственного распределения поля производится методом конечных элементов, после чего вычисляется доля объема, в которой локальное поле превышает пороговое значение. Интегрирование переключаемых зарядов используется для построения петли гистерезиса. Задаваемые параметры: период и размер неполярных включений, диэлектрическая проницаемость, спонтанная поляризация, шаг изменения поля. Программа может быть использована для изучения релаксорных сегнетоэлектриков. Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег. №2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).
Язык оригиналаРусский
Номер патента2023682322
Дата приоритета16/10/2023
Дата подачи заявки16/10/2023
СостояниеОпубликовано - 24 окт. 2023

ID: 57028926