Standard

СОПРОТИВЛЕНИЕ КАНАЛА ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ. / Пунанов, И. Ф.; Емлин, Р. В.; Куликов, В. Д. и др.
в: Журнал технической физики, Том 84, № 4, 2014, стр. 35-39.

Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

Harvard

APA

Vancouver

Author

Пунанов, И. Ф. ; Емлин, Р. В. ; Куликов, В. Д. и др. / СОПРОТИВЛЕНИЕ КАНАЛА ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ. в: Журнал технической физики. 2014 ; Том 84, № 4. стр. 35-39.

BibTeX

@article{f1fe8b3161974868938eb8158cf48ce1,
title = "СОПРОТИВЛЕНИЕ КАНАЛА ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ",
abstract = "Предложена методика оценки сопротивления канала электрического пробоя в ионных кристаллах. Методика основана на измерении скорости движения канала в образце при подключении балластного резистора в цепь игольчатого анода и использовании теоретической зависимости скорости движения канала от его проводимости. Сопротивление канала в KCl и KBr при напряжении 140 kV составляет соответственно ~6.5 kOmega и ~6.1 kOmega. Показано, что данные сопротивления характеризуют газовую фазу. Обнаружена неоднородность сопротивления газовой фазы вдоль канала пробоя. Наибольшим сопротивлением обладает головная область длиной ~1 mm. Сделан вывод, что головная область содержит кластеры вещества диэлектрика с их дальнейшим распадом на ионы металла и галогена. Время жизни кластеров ~10-9 s.",
author = "Пунанов, {И. Ф.} and Емлин, {Р. В.} and Куликов, {В. Д.} and Чолах, {С. О.}",
year = "2014",
language = "Русский",
volume = "84",
pages = "35--39",
journal = "Журнал технической физики",
issn = "0044-4642",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - СОПРОТИВЛЕНИЕ КАНАЛА ИМПУЛЬСНОГО ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПРОБОЯ В ИОННЫХ КРИСТАЛЛАХ

AU - Пунанов, И. Ф.

AU - Емлин, Р. В.

AU - Куликов, В. Д.

AU - Чолах, С. О.

PY - 2014

Y1 - 2014

N2 - Предложена методика оценки сопротивления канала электрического пробоя в ионных кристаллах. Методика основана на измерении скорости движения канала в образце при подключении балластного резистора в цепь игольчатого анода и использовании теоретической зависимости скорости движения канала от его проводимости. Сопротивление канала в KCl и KBr при напряжении 140 kV составляет соответственно ~6.5 kOmega и ~6.1 kOmega. Показано, что данные сопротивления характеризуют газовую фазу. Обнаружена неоднородность сопротивления газовой фазы вдоль канала пробоя. Наибольшим сопротивлением обладает головная область длиной ~1 mm. Сделан вывод, что головная область содержит кластеры вещества диэлектрика с их дальнейшим распадом на ионы металла и галогена. Время жизни кластеров ~10-9 s.

AB - Предложена методика оценки сопротивления канала электрического пробоя в ионных кристаллах. Методика основана на измерении скорости движения канала в образце при подключении балластного резистора в цепь игольчатого анода и использовании теоретической зависимости скорости движения канала от его проводимости. Сопротивление канала в KCl и KBr при напряжении 140 kV составляет соответственно ~6.5 kOmega и ~6.1 kOmega. Показано, что данные сопротивления характеризуют газовую фазу. Обнаружена неоднородность сопротивления газовой фазы вдоль канала пробоя. Наибольшим сопротивлением обладает головная область длиной ~1 mm. Сделан вывод, что головная область содержит кластеры вещества диэлектрика с их дальнейшим распадом на ионы металла и галогена. Время жизни кластеров ~10-9 s.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=21311025

M3 - Статья

VL - 84

SP - 35

EP - 39

JO - Журнал технической физики

JF - Журнал технической физики

SN - 0044-4642

IS - 4

ER -

ID: 6097047