Исследованы закономерности процессов фото- и термолюминесценции в субмикронных кристаллах AlN с катионным дефицитом после возбуждения УФ излучением. Наблюдаемые спектры свечения представляют собой суперпозицию полос с максимумами при 3.0 и 2.5 eV. Указанные спектральные особенности обусловлены электронными переходами с участием примесных O--_N-- и кислород-вакансионных центров типа (V-_-Al---O-_-N--). Центры захвата носителей заряда на основе азотных вакансий V-_-N--, согласно количественному анализу в рамках описания кинетических процессов общего порядка, имеют энергию активации 0.45 eV и отвечают за формирование термоактивационного пика при температуре 345 K. Ключевые слова: AlN, фотолюминесценция, термолюминесценция, энергия активации, кислород-связанный центр, вакансия.