Напыленные в вакууме тонкие пленки Sb с градиентом толщины исследованы методами просвечивающей электронной микроскопии. Микроструктуры в пленках с увеличением толщины изменялись от аморфных островков увеличивающейся плотности и размеров до лабиринтной и сплошной пленки с текстурированием, также меняющимся с ростом толщины. На основе анализа картин изгибных экстинкционных контуров выявлен сильный внутренний изгиб кристаллической решетки, до 120 deg/μm, а также зависимость кристаллографических ориентировок в структурах пленки от толщины.