Изобретение относится к получению сплошных осадков кремния для использования в качестве фоточувствительных материалов, устройств микроэлектроники и накопления энергии. Способ электроосаждения сплошных осадков кремния из расплавленных солей включает электролиз в инертной атмосфере галогенидного расплава из смеси солей, мас.%: 15-45 хлорида калия (KCl), 50-80 хлорида цезия (CsCl), 0,5-20 гексафторсиликата калия (K2SiF6). Электролиз расплава ведут при температуре от 620 до 650°C в импульсном потенциостатическом режиме с многократным периодическим наложением катодного перенапряжения на рабочий электрод величиной от 0,05 до 0,30 В длительностью от 2 до 100 мс. Техническим результатом является получение сплошных осадков кремния при снижении температуры и химической агрессивности расплавленного электролита, повышении устойчивости кремнийсодержащих электроактивных ионов в расплаве. 2 ил., 1 пр.
