Standard

Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла: патент на изобретение. / Кортов, Всеволод Семенович (Изобретатель); Зацепин, Анатолий Федорович (Изобретатель); Бунтов, Евгений Александрович (Изобретатель) и др.
Федеральный институт промышленной собственности. Номер патента: 2568456. нояб. 20, 2015.

Результаты исследований: Патент

Harvard

Кортов, ВС, Зацепин, АФ, Бунтов, ЕА & Гаврилов , НВ нояб.. 20 2015, Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла: патент на изобретение, Номер патента 2568456. <http://www1.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2568456&TypeFile=html>

APA

Кортов, В. С., Зацепин, А. Ф., Бунтов, Е. А., & Гаврилов , Н. В. (2015). Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла: патент на изобретение. (Номер патента 2568456). Федеральный институт промышленной собственности. http://www1.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=RUPAT&DocNumber=2568456&TypeFile=html

Vancouver

Кортов ВС, Зацепин АФ, Бунтов ЕА, Гаврилов НВ, Изобретатели. Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла: патент на изобретение. 2568456. 2015 нояб. 20.

Author

Кортов, Всеволод Семенович (Изобретатель) ; Зацепин, Анатолий Федорович (Изобретатель) ; Бунтов, Евгений Александрович (Изобретатель) и др. / Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла : патент на изобретение. Федеральный институт промышленной собственности. Номер патента: 2568456. нояб. 20, 2015.

BibTeX

@misc{41a52542cfa145a3b05b05e9646345b6,
title = "Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла: патент на изобретение",
abstract = "Изобретение относится к способу получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла из диоксида кремния с поверхностным слоем, содержащим нанокластеры цинка. Способ может быть использован при создании компонентов микро-(нано-) и оптоэлектронных устройств. Проводят имплантацию ионов цинка в кварцевое стекло и отжиг имплантированного ионами цинка кварцевого стекла в воздушной атмосфере. Имплантацию ионов цинка проводят в импульсном режиме при длительности импульсов 0,3-0,4 мс, частоте повторения импульсов 12,5-20 Гц, импульсной плотности ионного тока 0,8-0,9 мА/см2, дозе облучения (4,5-5)×1016 ион/см2, энергии ионов цинка 30-35 кэВ и температуре диоксида кремния 60-350°С. Отжиг проводят при температуре 800-900°С в течение 50-70 мин в воздушной атмосфере. Техническим результатом изобретения является получение стекла с повышенным уровнем интенсивности излучения в ближней области инфракрасного диапазона.",
author = "Кортов, {Всеволод Семенович} and Зацепин, {Анатолий Федорович} and Бунтов, {Евгений Александрович} and Гаврилов, {Николай Васильевич}",
year = "2015",
month = nov,
day = "20",
language = "Русский",
publisher = "Федеральный институт промышленной собственности",
address = "Российская Федерация",
type = "Patent",
note = "2568456; C03C 21/00",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Способ получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла

T2 - патент на изобретение

AU - Кортов, Всеволод Семенович

AU - Зацепин, Анатолий Федорович

AU - Бунтов, Евгений Александрович

AU - Гаврилов , Николай Васильевич

PY - 2015/11/20

Y1 - 2015/11/20

N2 - Изобретение относится к способу получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла из диоксида кремния с поверхностным слоем, содержащим нанокластеры цинка. Способ может быть использован при создании компонентов микро-(нано-) и оптоэлектронных устройств. Проводят имплантацию ионов цинка в кварцевое стекло и отжиг имплантированного ионами цинка кварцевого стекла в воздушной атмосфере. Имплантацию ионов цинка проводят в импульсном режиме при длительности импульсов 0,3-0,4 мс, частоте повторения импульсов 12,5-20 Гц, импульсной плотности ионного тока 0,8-0,9 мА/см2, дозе облучения (4,5-5)×1016 ион/см2, энергии ионов цинка 30-35 кэВ и температуре диоксида кремния 60-350°С. Отжиг проводят при температуре 800-900°С в течение 50-70 мин в воздушной атмосфере. Техническим результатом изобретения является получение стекла с повышенным уровнем интенсивности излучения в ближней области инфракрасного диапазона.

AB - Изобретение относится к способу получения имплантированного ионами цинка кварцевого стекла из диоксида кремния с поверхностным слоем, содержащим нанокластеры цинка. Способ может быть использован при создании компонентов микро-(нано-) и оптоэлектронных устройств. Проводят имплантацию ионов цинка в кварцевое стекло и отжиг имплантированного ионами цинка кварцевого стекла в воздушной атмосфере. Имплантацию ионов цинка проводят в импульсном режиме при длительности импульсов 0,3-0,4 мс, частоте повторения импульсов 12,5-20 Гц, импульсной плотности ионного тока 0,8-0,9 мА/см2, дозе облучения (4,5-5)×1016 ион/см2, энергии ионов цинка 30-35 кэВ и температуре диоксида кремния 60-350°С. Отжиг проводят при температуре 800-900°С в течение 50-70 мин в воздушной атмосфере. Техническим результатом изобретения является получение стекла с повышенным уровнем интенсивности излучения в ближней области инфракрасного диапазона.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=37458966

M3 - Патент

M1 - 2568456

Y2 - 2014/11/20

PB - Федеральный институт промышленной собственности

ER -

ID: 10352730