Изобретение относится к области полупроводникового материаловедения, а именно к технологии получения тонких фоточувствительных пленок селенида свинца, находящих широкое применение в приборах регистрации ИК-излучения в диапазоне 1-5 мкм. Пленки селенида свинца осаждают на диэлектрическую подложку из водных растворов, содержащих соль свинца (II), этилендиамин, ацетат аммония, йодид аммония, селеномочевину, при осаждении в раствор дополнительно вводят хлорид олова (II) в качестве ингибитора процесса окисления селеномочевины в количестве 0,0005-0,003 моль/л. Свежеосажденные образцы подвергают термообработке при 653-673 K. Технический результат изобретения: повышение фоточувствительности пленок селенида свинца к ИК-излучению до 300 В/Вт при комнатной температуре и до 1853 K при неглубоком охлаждении до -60°С. 1 табл., 3 пр.