Рассмотрен процесс формирования нанотонких пространственных диссипативных структур гексагонального селена с упругим ротационным искривлением решётки вокруг [001] в аморфной плёнке. Установлено, что формирование нанотонких ПДС реализуется при термоградиентной обработке аморфной плёнки путём одностороннего нагрева её нижней поверхности при Т = 453 К. Состоя- нием псевдомонокристалла, предшествующим формированию нанотонкой ПДС в аморфной плёнке, является состояние с высокой концентрацией вакансий. Под действием разности температур ∆Т в направлении, перпендикулярном поверхности псевдомонокристалла, происходит термодиффузия вакансий и атомов селена. Показано, что при достижении ∆Т критических значений происходит переход от структуры псевдомонокристалла к структуре ромбовидной нанотонкой ПДС гексагонального селена. Прохождение потока тепла через нанотонкую ПДС в направлении, перпендикулярном её поверхности, обеспечивает экспорт энтропии в окружающую среду. После термоградиентной обработки аморфной плёнки производят закалку нанотонкой ПДС путём охлаждения её на воздухе, при этом происходит закалка неравновесных структурных дефектов - атомов и вакансий, смещённых из равновесных положений. Закалка делает нанотонкую ПДС устойчивой, при этом формирование нанотонких ПДС гексагонального селена с упругим ротационным искривлением решётки вокруг [001] в аморфной плёнке является результатом выполнения условий, отвечающих теории формирования диссипативных структур.