Изобретение относится к химической технологии субмикронных кристаллов нитрида алюминия в форме гексагональных призм и комбинации гексагональной призмы с дипирамидой и пинакоидом, которое может быть использовано при создании элементов нано-, микро- и оптоэлектроники, а также люминесцентно-активных микроразмерных сенсоров медико-биологического назначения. Гранулы металлического алюминия смешивают с порошком трифторида алюминия в соотношении 1:1 − 3:1 и нагревают смесь до температуры образования паров субфторида алюминия, равной 1050 − 1150°С, в атмосфере аммиака, подаваемого в пространство над жидким алюминием с объемной скоростью подачи ниже 50 мл/мин при абсолютном давлении 0,03 – 0,07 МПа. Технический результат состоит в получении кристаллов нитрида алюминия с одинаковым фракционным размером от 70 нм до 1 мкм.
Переведенное названиеMethod of producing submicron crystals of aluminium nitride: patent of invention
Язык оригиналаРусский
Номер патента2738328
IPCC30B 23/00,C30B 29/38,C30B 29/40,C30B 29/66,C01B 21/072,B82B 3/00,B82Y 40/00,B82Y 20/00,B82Y 5/00
Дата приоритета22/04/2019
Дата подачи заявки22/04/2019
СостояниеОпубликовано - 11 дек. 2020

    ГРНТИ

  • 29.00.00 ФИЗИКА

ID: 21244477