21 - 24 из 24Размер страницы: 20
Сортировать по:: Год публикации
  1. 1990

  2. 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN INVERSION-LAYERS IN HGTE

    Deryabina, T. I., Kulaev, G. I. & Radantsev, V. F., 1990, в: Soviet physics. Semiconductors. 24, 7, стр. 746-748 3 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  3. SPECIFIC FEATURES OF 2-DIMENSIONAL ELECTRON-STATES IN INVERSION-LAYERS OF SEMIMETALLIC HG1-XCDXTE WITH FLUCTUATION-STIMULATED BAND OVERLAP

    Radantsev, V. F., Zavyalov, V. V. & Khomutova, S. S., 1990, в: Физика твердого тела. 32, 7, стр. 2067-2073 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  4. 1989

  5. CAPACITANCE OF SURFACE-LAYERS IN KANE SEMICONDUCTORS UNDER SIZE AND MAGNETIC QUANTIZATION CONDITIONS

    Radantsev, V. F., Deryabina, T. I., Zavyalov, V. V., Zverev, L. P., Kulaev, G. I. & Khomutova, S. S., 1989, в: Soviet physics. Semiconductors. 23, 5, стр. 213-216 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  6. PARAMETERS OF SPIN-ORBIT INTERACTION IN THE TWO-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN LAYERS NEAR THE SURFACE IN NG1-XCDXTE

    Radantsev, V. F., 1989, в: Журнал экспериментальной и теоретической физики. 96, 5, стр. 1793-1800 8 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Назад 1 2 Далее

ID: 57128