21 - 30 из 34Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 1997

  2. Crystallization kinetics of amorphous ferroelectric films

    Shur, V. Y., Negashev, S. A., Subbotin, A. L. & Borisova, E. A., 1 янв. 1997, в: Ferroelectrics. 196, 1-4, стр. 183-186 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  3. 1996

  4. Evolution of regular, heterophase structure near phase transition

    Shur, V. Y., Negashev, S. A., Rumyantsev, E. L., Subbotin, A. L., Demina, A. A. & Naumova, I. I., 1 дек. 1996, в: Izvestiya Akademii Nauk. Ser. Fizicheskaya. 60, 10, стр. 124-129 6 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  5. Evolution of regular heterophase structure near transition POINT

    Shur, V. Y., Negashev, S. A., Rumyantsev, E. L., Subbotin, A. L., Demina, A. A. & Naumova, I. I., 1 янв. 1996, в: Ferroelectrics. 185, 1-4, стр. 13-16 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  6. In situ investigation of crystallization kinetics in PZT films by light scattering

    Shur, V. Y., Negashev, S. A., Subbotin, A. L., Borisova, E. A. & Trolier-McKinstry, S., 1 янв. 1996, в: Materials Research Society Symposium - Proceedings. 433, стр. 351-356 6 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Материалы конференции › Рецензирование

  7. 1995

  8. Elastic light scattering as a probe for detail in situ investigations of domain and phase evolution

    Shur, V. Y., Negashev, S. A., Rumyantsev, E. L., Subbotin, A. L. & Makarov, S. D., 1 янв. 1995, в: Ferroelectrics. 169, 1, стр. 63-73 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  9. 1977

  10. MECHANISM OF BAND GAP VARIATION IN HEAVILY DOPED GALLIUM ARSENIDE.

    Zverev, L. P., Negashev, S. A., Kruzhaev, V. V. & Min'kov, G. M., 1 янв. 1977, в: Semiconductors. 11, 6, стр. 603-605 3 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  11. 1976

  12. DIRECT DETERMINATION OF FORBIDDEN-BAND WIDTH OF A HEAVILY DOPED SEMICONDUCTOR.

    Zverev, L. P., Kruzhaev, V. V., Negashev, S. A. & Min'kov, G. M., 1 янв. 1976, в: Semiconductors. 10, 3, стр. 337-338 2 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  13. MECHANISM OF ENERGY RELAXATION IN GaAs AT LOW TEMPERATURES.

    Zverev, L. P., Min'kov, G. M., Negashev, S. A. & Kruzhaev, V. V., 1 янв. 1976, в: Semiconductors. 10, 12, стр. 1388-1390 3 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  14. METHOD FOR DETERMINATION OF THE CONDUCTION MECHANISM IN SEMICONDUCTORS.

    Zverev, L. P., Min'kov, G. M., Kruzhaev, V. V. & Negashev, S. A., 1 янв. 1976, в: Semiconductors. 10, 4

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  15. PHOTOLUMINESCENCE EMITTED FROM p-TYPE GaAs DIFFUSION-DOPED WITH ZINC AND SUBJECTED TO A MAGNETIC FIELD.

    Zverev, L. P., Negashev, S. A. & Kruzhaev, V. V., 1 янв. 1976, в: Semiconductors. 10, 6, стр. 609-612 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

Назад 1 2 3 4 Далее

ID: 57227