1. 1996
  2. Pseudoultrarelativistic behavior and specification of spinlike effects in the two-dimensional electron gas in Kane semiconductors with direct and inverted band structure

    Radantsev, V. F., Deryabina, T. I., Kulaev, G. I. & Rumyantsev, E. L., 1996, в: Physical Review B. 53, 23, стр. 15756-15766 11 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  3. 1990
  4. 2-DIMENSIONAL ELECTRON-GAS IN INVERSION-LAYERS IN HGTE

    Deryabina, T. I., Kulaev, G. I. & Radantsev, V. F., 1990, в: Soviet physics. Semiconductors. 24, 7, стр. 746-748 3 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

  5. 1989
  6. CAPACITANCE OF SURFACE-LAYERS IN KANE SEMICONDUCTORS UNDER SIZE AND MAGNETIC QUANTIZATION CONDITIONS

    Radantsev, V. F., Deryabina, T. I., Zavyalov, V. V., Zverev, L. P., Kulaev, G. I. & Khomutova, S. S., 1989, в: Soviet physics. Semiconductors. 23, 5, стр. 213-216 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журналСтатьяРецензирование

ID: 58429