Описание

Проект направлен на решение фундаментальной научной проблемы физики неравновесных состояний, связанной с выяснением и описанием процесса формирования микро- и нано-структур при фазовых превращениях в пространственно неоднородных условиях. Для решения поставленной проблемы будет проводиться теоретическое и экспериментальное изучение эволюции сегнетоэлектрической доменной структуры в монокристаллах релаксорных сегнетоэлектриков семейства PMN-PT и бессвинцовой пьезокерамике с целью разработки физических основ управления их доменной структурой.
Российская группа (руководитель В.Я. Шур, УрФУ, Екатеринбург) будет разрабатывать и апробировать методы визуализации доменной структуры методами оптической микроскопии, сканирующей электронной микроскопии и конфокальной микроскопии комбинационного рассеяния света. Будет проводиться детальное экспериментальное и методами компьютерного моделирования изучение эволюции доменной структуры. Будут изучены локальные пьезоэлектрические свойства и переключения поляризации методом силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика и созданы периодически поляризованные пластины PMN-PT для нелинейно-оптических и пьезоэлектрических применений.
Китайская группа (руководитель Xiaoyong Wei, Сианьский транспортный университет, Сиань) будет разрабатывать улучшенные методики выращивания монокристаллов PMN-PT и и PMN-PIN-PT и синтеза бессвинцовой пьезокерамики BMT-BT и BCZT и предоставлять партнерам высококачественные образцы монокристаллов ромбоэдрического и тетрагонального PMN-PT и бессвинцовых пьезокерамик BMT-BT и BCZT различного состава. Будет проводиться измерение интегральных диэлектрических, сегнетоэлектрических, пьезоэлектрических и оптических свойств и структурный анализ монокристаллов и керамики. Будут разрабатываться опытные образцы оптоэлектронных и пьезоэлектрических приборов.
Индийская группа (руководитель S.S. Islam, Jamia Millia Islamia, Нью-Дели) будет проводить детальное изучение структурных и оптических свойств монокристаллов семейства PMN-PT методами рентгеновской дифракции, просвечивающей и сканирующей электронной микроскопии и энергодисперсионной рентгеновской спектроскопии."
СтатусЗавершено
Действительная дата начала/окончания02/08/201715/12/2020

    ГРНТИ

  • 29.19.35 Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики

    Тип источника финансирования (РФФИ, РНФ, Х/Д, Гранты и т.д.)

  • РЦНИ (РФФИ)

    Площадка НИЧ УрФУ, где ведется данный грант (НИЧ Куйбышева, НИЧ Мира)

  • НИЧ Куйбышева

ID: 7428618