Описание

В работе разработан метод высокого разрешения для визуализации доменных структур, исследованы закономерности формирования и геометрических параметров доменов от условий облучения пучком заряженных частиц в различных кристаллах семейства ниобата лития, проведен расчет пространственного распределения электрических полей при облучении кристаллов ниобата лития ионным пучком.
Исследовано формирование изолированных доменов и эффект нестабильности формы доменной стенки при облучении ионным пучком кристаллов танталата лития. Получены основные закономерности геометрических параметров и взаимодействия растущих доменов от условий облучения.
Для кристаллов ниобата лития и танталата лития установлены оптимальные параметры формирования регулярных доменных структур (РДС) с малыми периодами (менее 2 мкм) для параметрической генерации света и преобразования частоты лазерного излучения. Предложена физическая модель переключения направления поляризации и формирования доменов при облучение сегнетоэлектрических кристаллов сфокусированным ионным пучком. Исследовано влияние электростатической зарядки поверхности на однородность и геометрические характеристики РДС. Предложены методы компенсации избыточного заряда поверхности и исследована их эффективность
СтатусЗавершено
Действительная дата начала/окончания01/01/201631/12/2017

    ГРНТИ

  • 29.19.35 Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики

    Тип источника финансирования (РФФИ, РНФ, Х/Д, Гранты и т.д.)

  • Грант Президента

    Площадка НИЧ УрФУ, где ведется данный грант (НИЧ Куйбышева, НИЧ Мира)

  • НИЧ Куйбышева

ID: 7391873