Проект направлен на изучение влияния воздействия мощных потоков электромагнитного излучения на формирование структурных дефектов в конденсированных средах. Особое внимание будет уделено исследованию локальной атомной и электронной структуры примесных атомов 3d-элементов (Ti, V, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu) в тонкопленочных широкозонных полупроводниках (In2O3, SnO2иGaN). Основное внимание будет уделено изучению структурных конфигураций примесных атомов. Для допирования будет использован метод импульсной ионной имплантации (Е=30 кэВ, D=1.1017 см-2). Для решения поставленной задачи будут исследованы рентгеновские фотоэлектронные спектры (остовных уровней и валентных полос), которые будут сопоставлены со специально выполненными численными расчетами электронной структуры.