Описание

Проект посвящен исследованию эволюции доменной структуры при переключении поляризации в пространственно неоднородном поле в кристаллах одноосных сегнетоэлектриков ниобата лития и танталата лития и многоосного релаксорного сегнетоэлектрика магнониобата-титаната свинца. Поле будет создаваться проводящим зондом сканирующего зондового микроскопа и электродами контролируемой формы. Особое внимание будет уделено формированию и эволюции проводящих заряженных доменных стенок (ЗДС). Для визуализации доменов с высоким пространственным разрешением будут использованы методы сканирующей электронной микроскопии и силовой микроскопии пьезоэлектрического отклика. Будет впервые изучено формирование ЗДС при переключении поляризации на неполярных срезах различной ориентации и зависимость проводимости ЗДС от формы домена. Полученные закономерности представляют значительный интерес для развития представлений об эволюции доменной структуры сегнетоэлектриков, a также для разработки методов управления параметрами доменной структуры и для создания устройств памяти с рекордной плотностью хранения информации (наноэлектроники доменных стенок). Эволюция доменной структуры сегнетоэлектриков, связанная с формированием наноразмерных ЗДС в контролируемых сильнонеравновесных условиях переключения, является удобной моделью для изучения образования коррелированных метастабильных структур. Использование современного оборудования с высоким пространственным разрешением открывает возможности для детального экспериментального исследования как формирования ЗДС, так и зависимости характеристик от условий создания. Благодаря нанометровой толщине и возможности контроля положения внешними электрическими полями, проводящие ЗДС в настоящее время представляют исключительный интерес для развития наноэлектроники.
СтатусЗавершено
Действительная дата начала/окончания01/09/202001/09/2022

    Площадка НИЧ УрФУ, где ведется данный грант (НИЧ Куйбышева, НИЧ Мира)

  • НИЧ Куйбышева

    Тип источника финансирования (РФФИ, РНФ, Х/Д, Гранты и т.д.)

  • РЦНИ (РФФИ)

    ГРНТИ

  • 29.19.35 Сегнетоэлектрики и антисегнетоэлектрики

ID: 14034114