1 - 10 из 75Размер страницы: 10
Сортировать по:: Год публикации
  1. 2008

  2. Characteristics of the electron-emission defects introduced in Si-SiO2 structures by MeV electron irradiation

    Zatsepin, A. F., Kaschieva, S., Dmitriev, S. N. & Buntov, E. A., 1 дек. 2008, в: Nuclear Instruments and Methods in Physics Research, Section B: Beam Interactions with Materials and Atoms. 266, 23, стр. 5027-5031 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  3. 2009

  4. Photosensitive defects in silica layers implanted with germanium ions

    Zatsepin, A. F., Fitting, H. J., Kortov, V. S., Pustovarov, V. A., Schmidt, B. & Buntov, E. A., 1 янв. 2009, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 355, 1, стр. 61-67 7 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  5. Formation and electron-beam annealing of implantation defects in a thin-film Si-SiO2 heterostructure

    Zatsepin, A. F., Kaschieva, S., Biryukov, D. Y., Dmitriev, S. N. & Buntov, E. A., 1 февр. 2009, в: Technical Physics. 54, 2, стр. 323-326 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  6. Time-resolved photoluminescence of implanted SiO2:Si+ films

    Zatsepin, A. F., Pustovarov, V. A., Kortov, V. S., Buntov, E. A. & Fitting, H. J., 1 июл. 2009, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 355, 18-21, стр. 1119-1122 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  7. Urbach rule in photoelectron emission from surface states of low-sized silica

    Zatsepin, A. F. & Buntov, E. A., 1 июл. 2009, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 355, 18-21, стр. 1123-1127 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  8. 2010

  9. Photoelectron emission from implanted SiO2: Se+ films

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A., Kortov, V. S., Fitting, H. J. & Ponosov, Y. S., 1 февр. 2010, в: Bulletin of the Russian Academy of Sciences: Physics. 74, 2, стр. 201-205 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  10. Low-temperature luminescence of lead silicate glass

    Zatsepin, A. F., Kukharenko, A. I., Buntov, E. A., Pustovarov, V. A. & Cholakh, S. O., 1 апр. 2010, в: Glass Physics and Chemistry. 36, 2, стр. 166-170 5 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  11. The relation between static disorder and photoluminescence quenching law in glasses: A numerical technique

    Zatsepin, A. F., Buntov, E. A. & Ageev, A. L., 1 окт. 2010, в: Journal of Luminescence. 130, 10, стр. 1721-1724 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  12. 2011

  13. Electronic and vibrational states of oxygen and sulfur molecular ions inside implanted SiO2 films

    Buntov, E. A., Zatsepin, A. F., Kortov, V. S., Pustovarov, V. A. & Fitting, H. J., 15 апр. 2011, в: Journal of Non-Crystalline Solids. 357, 8-9, стр. 1977-1980 4 стр.

    Результаты исследований: Вклад в журнал › Статья › Рецензирование

  14. Устройство для измерения мощности и частоты ультразвуковых колебаний: патент на полезную модель

    Устьянцев, Ю. Г., Бунтов, Е. А., Зацепин, А. Ф., Кортов, В. С. & Рязанова, А. С., 10 сент. 2011, IPC № G01T 1/00, Федеральный институт промышленной собственности, Патент № 108152, 5 апр. 2011, Дата приоритета 5 апр. 2011, № заявки 2011113050/28

    Результаты исследований: Патент

Назад 1 2 3 4 5 6 7 8 Далее

ID: 74989