Standard

ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ПОДЛОЖКИ НА СОСТАВ ПЛЕНОК CDPBS И МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЯ НА ИНТЕРФЕЙСЕ "ПЛЕНКА--ПОДЛОЖКА". / Маскаева, Лариса Николаевна; Поздин, Андрей Владимирович; Марков, Вячеслав Филиппович et al.
In: Физика и техника полупроводников, Vol. 54, No. 12, 2020, p. 1309-1319.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Маскаева, ЛН, Поздин, АВ, Марков, ВФ & Воронин, ВИ 2020, 'ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ПОДЛОЖКИ НА СОСТАВ ПЛЕНОК CDPBS И МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЯ НА ИНТЕРФЕЙСЕ "ПЛЕНКА--ПОДЛОЖКА"', Физика и техника полупроводников, vol. 54, no. 12, pp. 1309-1319. https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50230.9506

APA

Маскаева, Л. Н., Поздин, А. В., Марков, В. Ф., & Воронин, В. И. (2020). ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ПОДЛОЖКИ НА СОСТАВ ПЛЕНОК CDPBS И МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЯ НА ИНТЕРФЕЙСЕ "ПЛЕНКА--ПОДЛОЖКА". Физика и техника полупроводников, 54(12), 1309-1319. https://doi.org/10.21883/FTP.2020.12.50230.9506

Vancouver

Маскаева ЛН, Поздин АВ, Марков ВФ, Воронин ВИ. ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ПОДЛОЖКИ НА СОСТАВ ПЛЕНОК CDPBS И МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЯ НА ИНТЕРФЕЙСЕ "ПЛЕНКА--ПОДЛОЖКА". Физика и техника полупроводников. 2020;54(12):1309-1319. doi: 10.21883/FTP.2020.12.50230.9506

Author

Маскаева, Лариса Николаевна ; Поздин, Андрей Владимирович ; Марков, Вячеслав Филиппович et al. / ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ПОДЛОЖКИ НА СОСТАВ ПЛЕНОК CDPBS И МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЯ НА ИНТЕРФЕЙСЕ "ПЛЕНКА--ПОДЛОЖКА". In: Физика и техника полупроводников. 2020 ; Vol. 54, No. 12. pp. 1309-1319.

BibTeX

@article{85223590f8a14ca39dd08e637fa66bc9,
title = "ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ПОДЛОЖКИ НА СОСТАВ ПЛЕНОК CDPBS И МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЯ НА ИНТЕРФЕЙСЕ {"}ПЛЕНКА--ПОДЛОЖКА{"}",
abstract = "Исследована роль подложки различной природы на фазовый состав, морфологию и механические напряжения на интерфейсе {"}пленка---подложка{"} при химическом осаждении слоев CdPbS на кремнии (111), ситалле, плавленом кварце, ITO-покрытии, предметном и пористом стеклах. Высказано предположение, что выявленные особенности связаны с различными условиями зарождения и роста пленок. Установлено, что на плавленом кварце формируется однофазная пленка твердого раствора Cd--x--Pb--1-x--S в отличие от остальных субстратов, на которых осаждаются слои, содержащие дополнительно от 2 до 8 мол% рентгеноаморфной фазы CdS. Показано, что увеличение величины механических напряжений сжатия на интерфейсе {"}пленка--подложка{"} с -9.32 до -121.79 кН/м--2-- в ряду пористое стекло--предметное стекло--ситалл--кремний (111)--плавленый кварц асимбатно значениям температурных коэффициентов расширения этих подложечных материалов. Ключевые слова: химическое осаждение, тонкие пленки, твердые растворы Cd--x--Pb--1-x--S, механические напряжения сжатия.",
author = "Маскаева, {Лариса Николаевна} and Поздин, {Андрей Владимирович} and Марков, {Вячеслав Филиппович} and Воронин, {В. И.}",
year = "2020",
doi = "10.21883/FTP.2020.12.50230.9506",
language = "Русский",
volume = "54",
pages = "1309--1319",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "12",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ВЛИЯНИЕ ПРИРОДЫ ПОДЛОЖКИ НА СОСТАВ ПЛЕНОК CDPBS И МЕХАНИЧЕСКИЕ НАПРЯЖЕНИЯ НА ИНТЕРФЕЙСЕ "ПЛЕНКА--ПОДЛОЖКА"

AU - Маскаева, Лариса Николаевна

AU - Поздин, Андрей Владимирович

AU - Марков, Вячеслав Филиппович

AU - Воронин, В. И.

PY - 2020

Y1 - 2020

N2 - Исследована роль подложки различной природы на фазовый состав, морфологию и механические напряжения на интерфейсе "пленка---подложка" при химическом осаждении слоев CdPbS на кремнии (111), ситалле, плавленом кварце, ITO-покрытии, предметном и пористом стеклах. Высказано предположение, что выявленные особенности связаны с различными условиями зарождения и роста пленок. Установлено, что на плавленом кварце формируется однофазная пленка твердого раствора Cd--x--Pb--1-x--S в отличие от остальных субстратов, на которых осаждаются слои, содержащие дополнительно от 2 до 8 мол% рентгеноаморфной фазы CdS. Показано, что увеличение величины механических напряжений сжатия на интерфейсе "пленка--подложка" с -9.32 до -121.79 кН/м--2-- в ряду пористое стекло--предметное стекло--ситалл--кремний (111)--плавленый кварц асимбатно значениям температурных коэффициентов расширения этих подложечных материалов. Ключевые слова: химическое осаждение, тонкие пленки, твердые растворы Cd--x--Pb--1-x--S, механические напряжения сжатия.

AB - Исследована роль подложки различной природы на фазовый состав, морфологию и механические напряжения на интерфейсе "пленка---подложка" при химическом осаждении слоев CdPbS на кремнии (111), ситалле, плавленом кварце, ITO-покрытии, предметном и пористом стеклах. Высказано предположение, что выявленные особенности связаны с различными условиями зарождения и роста пленок. Установлено, что на плавленом кварце формируется однофазная пленка твердого раствора Cd--x--Pb--1-x--S в отличие от остальных субстратов, на которых осаждаются слои, содержащие дополнительно от 2 до 8 мол% рентгеноаморфной фазы CdS. Показано, что увеличение величины механических напряжений сжатия на интерфейсе "пленка--подложка" с -9.32 до -121.79 кН/м--2-- в ряду пористое стекло--предметное стекло--ситалл--кремний (111)--плавленый кварц асимбатно значениям температурных коэффициентов расширения этих подложечных материалов. Ключевые слова: химическое осаждение, тонкие пленки, твердые растворы Cd--x--Pb--1-x--S, механические напряжения сжатия.

UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=44368065

U2 - 10.21883/FTP.2020.12.50230.9506

DO - 10.21883/FTP.2020.12.50230.9506

M3 - Статья

VL - 54

SP - 1309

EP - 1319

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 12

ER -

ID: 20379735