1 - 10 out of 17Page size: 10
  1. 2023

  2. ПРОСТРАНСТВЕННАЯ НЕОДНОРОДНОСТЬ УДАРНО-ИОНИЗАЦИОННОГО ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ СИЛОВОГО КРЕМНИЕВОГО ДИОДА

    Любутин, С. К., Патраков, В. Е., РУКИН, С. Н., Словиковский, Б. Г. & Цыранов, С. Н., 2023, In: Физика и техника полупроводников. 57, 7, p. 594-602 9 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  3. 2018

  4. Study of process of avalanche switching of silicon thyristors without bias voltage

    Perminova, O. E. & Tsyranov, S. N., 27 Nov 2018, In: Journal of Physics: Conference Series. 1115, 2, 022021.

    Research output: Contribution to journal › Conference article › peer-review

  5. Joint effect of temperature and voltage rise rate on the switching process of Si thyristors triggered in impact ionization wave mode

    Gusev, A., Rukin, S., Tsyranov, S., Perminova, O., Lyubutin, S. & Slovikovsky, B., Nov 2018, In: Semiconductor Science and Technology. 33, 11, 10 p., 115012.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  6. 2017

  7. Study of the voltage drop process for the case of high-power thyristors switched in the impact-ionization mode

    Gusev, A. I., Lyubutin, S. K., Rukin, S. N. & Tsyranov, S. N., May 2017, In: Semiconductors. 51, 5, p. 649-656 8 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  8. Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров

    Гусев, А. И., Любутин, С. К., Рукин, С. Н. & Цыранов, С. Н., 2017, In: Физика и техника полупроводников. 51, 5, p. 680-688 9 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  9. 2016

  10. Superfast Thyristor-Based Switches Operating in Impact-Ionization Wave Mode

    Gusev, A. I., Lyubutin, S. K., Rukin, S. N. & Tsyranov, S. N., 1 Oct 2016, In: IEEE Transactions on Plasma Science. 44, 10, p. 1888-1893 6 p., 7442873.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  11. High-Power Thyristor Switching via an Overvoltage Pulse with Nanosecond Rise Time

    Gusev, A. I., Lyubutin, S. K., Rukin, S. N. & Tsyranov, S. N., 1 Mar 2016, In: Semiconductors. 50, 3, p. 394-403 10 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  12. ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ ИМПУЛЬСОМ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ С НАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ

    Гусев, А. И., Любутин, С. К., РУКИН, С. Н. & Цыранов, С. Н., 2016, In: Физика и техника полупроводников. 50, 3, p. 398-407 10 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  13. 2015

  14. A 6 GW nanosecond solid-state generator based on semiconductor opening switch

    Gusev, A. I., Pedos, M. S., Rukin, S. N., Timoshenkov, S. P. & Tsyranov, S. N., 1 Nov 2015, In: Review of Scientific Instruments. 86, 11, 8 p., 114706.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

  15. 2014

  16. On the picosecond switching of a high-density current (60 kA/cm2) via a Si closing switch based on a superfast ionization front

    Gusev, A. I., Lyubutin, S. K., Rukin, S. N., Slovikovsky, B. G. & Tsyranov, S. N., Aug 2014, In: Semiconductors. 48, 8, p. 1067-1078 12 p.

    Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Previous 1 2 Next

ID: 95618