Standard

ДИАГРАММЫ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК IN2S3 И IN2SE3 НА СИТАЛЛЕ В РЕАКЦИЯХ ОСАЖДЕНИЯ ПО ДАННЫМ ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОГО ТИТРОВАНИЯ. / Туленин, Станислав Сергеевич; Бахтеев, С.А.; Юсупов, Р.А. et al.
In: Журнал физической химии, Vol. 87, No. 10, 2013, p. 1791.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Туленин, СС, Бахтеев, СА, Юсупов, РА, Маскаева, ЛН & Марков, ВФ 2013, 'ДИАГРАММЫ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК IN2S3 И IN2SE3 НА СИТАЛЛЕ В РЕАКЦИЯХ ОСАЖДЕНИЯ ПО ДАННЫМ ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОГО ТИТРОВАНИЯ', Журнал физической химии, vol. 87, no. 10, pp. 1791. https://doi.org/10.7868/S0044453713100257

APA

Туленин, С. С., Бахтеев, С. А., Юсупов, Р. А., Маскаева, Л. Н., & Марков, В. Ф. (2013). ДИАГРАММЫ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК IN2S3 И IN2SE3 НА СИТАЛЛЕ В РЕАКЦИЯХ ОСАЖДЕНИЯ ПО ДАННЫМ ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОГО ТИТРОВАНИЯ. Журнал физической химии, 87(10), 1791. https://doi.org/10.7868/S0044453713100257

Vancouver

Туленин СС, Бахтеев СА, Юсупов РА, Маскаева ЛН, Марков ВФ. ДИАГРАММЫ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК IN2S3 И IN2SE3 НА СИТАЛЛЕ В РЕАКЦИЯХ ОСАЖДЕНИЯ ПО ДАННЫМ ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОГО ТИТРОВАНИЯ. Журнал физической химии. 2013;87(10):1791. doi: 10.7868/S0044453713100257

Author

Туленин, Станислав Сергеевич ; Бахтеев, С.А. ; Юсупов, Р.А. et al. / ДИАГРАММЫ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК IN2S3 И IN2SE3 НА СИТАЛЛЕ В РЕАКЦИЯХ ОСАЖДЕНИЯ ПО ДАННЫМ ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОГО ТИТРОВАНИЯ. In: Журнал физической химии. 2013 ; Vol. 87, No. 10. pp. 1791.

BibTeX

@article{601500b63fe9479bb3b992d20f26affc,
title = "ДИАГРАММЫ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК IN2S3 И IN2SE3 НА СИТАЛЛЕ В РЕАКЦИЯХ ОСАЖДЕНИЯ ПО ДАННЫМ ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОГО ТИТРОВАНИЯ",
abstract = "Определены граничные условия и области образования сульфида и селенида индия (III) при осаждении тиокарбамидом и селенокарбамидом. Проведено потенциометрическое титрование хлорида индия InCl3 в области концентраций 0.0001–0.100 моль/л раствором гидроксида натрия. Установлено, что оптимальными для осаждения пленок In2S3 и In2Se3 являются области pH: от 3.0 до 4.5 и от 9.0 до 14.0. Гидрохимическим осаждением на ситалле получены слои селенида индия толщиной 100–300 нм.",
author = "Туленин, {Станислав Сергеевич} and С.А. Бахтеев and Р.А. Юсупов and Маскаева, {Лариса Николаевна} and Марков, {Вячеслав Филиппович}",
year = "2013",
doi = "10.7868/S0044453713100257",
language = "Русский",
volume = "87",
pages = "1791",
journal = "Журнал физической химии",
issn = "0044-4537",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "10",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ДИАГРАММЫ ОБРАЗОВАНИЯ ПЛЕНОК IN2S3 И IN2SE3 НА СИТАЛЛЕ В РЕАКЦИЯХ ОСАЖДЕНИЯ ПО ДАННЫМ ПОТЕНЦИОМЕТРИЧЕСКОГО ТИТРОВАНИЯ

AU - Туленин, Станислав Сергеевич

AU - Бахтеев, С.А.

AU - Юсупов, Р.А.

AU - Маскаева, Лариса Николаевна

AU - Марков, Вячеслав Филиппович

PY - 2013

Y1 - 2013

N2 - Определены граничные условия и области образования сульфида и селенида индия (III) при осаждении тиокарбамидом и селенокарбамидом. Проведено потенциометрическое титрование хлорида индия InCl3 в области концентраций 0.0001–0.100 моль/л раствором гидроксида натрия. Установлено, что оптимальными для осаждения пленок In2S3 и In2Se3 являются области pH: от 3.0 до 4.5 и от 9.0 до 14.0. Гидрохимическим осаждением на ситалле получены слои селенида индия толщиной 100–300 нм.

AB - Определены граничные условия и области образования сульфида и селенида индия (III) при осаждении тиокарбамидом и селенокарбамидом. Проведено потенциометрическое титрование хлорида индия InCl3 в области концентраций 0.0001–0.100 моль/л раствором гидроксида натрия. Установлено, что оптимальными для осаждения пленок In2S3 и In2Se3 являются области pH: от 3.0 до 4.5 и от 9.0 до 14.0. Гидрохимическим осаждением на ситалле получены слои селенида индия толщиной 100–300 нм.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=20147953

U2 - 10.7868/S0044453713100257

DO - 10.7868/S0044453713100257

M3 - Статья

VL - 87

SP - 1791

JO - Журнал физической химии

JF - Журнал физической химии

SN - 0044-4537

IS - 10

ER -

ID: 7219458