Standard

АТОМИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕШЕТОЧНЫХ СВОЙСТВ SNSE. / Филанович, Антон Николаевич; Лысогорский, Ю.В.; Повзнер, Александр Александрович.
In: Физика и техника полупроводников, Vol. 55, No. 12, 2021, p. 1149-1155.

Research output: Contribution to journalArticlepeer-review

Harvard

Филанович, АН, Лысогорский, ЮВ & Повзнер, АА 2021, 'АТОМИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕШЕТОЧНЫХ СВОЙСТВ SNSE', Физика и техника полупроводников, vol. 55, no. 12, pp. 1149-1155. https://doi.org/10.21883/FTP.2021.12.51698.13

APA

Vancouver

Филанович АН, Лысогорский ЮВ, Повзнер АА. АТОМИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕШЕТОЧНЫХ СВОЙСТВ SNSE. Физика и техника полупроводников. 2021;55(12):1149-1155. doi: 10.21883/FTP.2021.12.51698.13

Author

Филанович, Антон Николаевич ; Лысогорский, Ю.В. ; Повзнер, Александр Александрович. / АТОМИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕШЕТОЧНЫХ СВОЙСТВ SNSE. In: Физика и техника полупроводников. 2021 ; Vol. 55, No. 12. pp. 1149-1155.

BibTeX

@article{13200c5d013a4f34a4e116220369593a,
title = "АТОМИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕШЕТОЧНЫХ СВОЙСТВ SNSE",
abstract = "Выполнен ряд ab initio расчетов энергии основного состояния как функции объема, упругих свойств и фононных спектров селенида олова в его различных кристаллических модификациях. На основе полученного массива данных построен потенциал межатомного взаимодействия SnSe с использованием метода атомного кластерного разложения (atomic cluster expansion --- ACE). С использованием потенциала исследуются температурные зависимости тепловых и упругих свойств SnSe в рамках квазигармонического приближения.",
author = "Филанович, {Антон Николаевич} and Ю.В. Лысогорский and Повзнер, {Александр Александрович}",
note = "*Финансирование работы Работа выполнена в рамках проекта, финансируемого Министерством науки и высшего образования Российской Федерации (паспорт проекта N 2291-21) и германской службой академических обменов DAAD (N 57515328) по программе {"}Михаил Ломоносов{"}, анализ и интерпретация данных выполнялись при поддержке финансирования в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации N FEUZ-2020-0020.",
year = "2021",
doi = "10.21883/FTP.2021.12.51698.13",
language = "Русский",
volume = "55",
pages = "1149--1155",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "12",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - АТОМИСТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ РЕШЕТОЧНЫХ СВОЙСТВ SNSE

AU - Филанович, Антон Николаевич

AU - Лысогорский, Ю.В.

AU - Повзнер, Александр Александрович

N1 - *Финансирование работы Работа выполнена в рамках проекта, финансируемого Министерством науки и высшего образования Российской Федерации (паспорт проекта N 2291-21) и германской службой академических обменов DAAD (N 57515328) по программе "Михаил Ломоносов", анализ и интерпретация данных выполнялись при поддержке финансирования в рамках государственного задания Министерства науки и высшего образования Российской Федерации N FEUZ-2020-0020.

PY - 2021

Y1 - 2021

N2 - Выполнен ряд ab initio расчетов энергии основного состояния как функции объема, упругих свойств и фононных спектров селенида олова в его различных кристаллических модификациях. На основе полученного массива данных построен потенциал межатомного взаимодействия SnSe с использованием метода атомного кластерного разложения (atomic cluster expansion --- ACE). С использованием потенциала исследуются температурные зависимости тепловых и упругих свойств SnSe в рамках квазигармонического приближения.

AB - Выполнен ряд ab initio расчетов энергии основного состояния как функции объема, упругих свойств и фононных спектров селенида олова в его различных кристаллических модификациях. На основе полученного массива данных построен потенциал межатомного взаимодействия SnSe с использованием метода атомного кластерного разложения (atomic cluster expansion --- ACE). С использованием потенциала исследуются температурные зависимости тепловых и упругих свойств SnSe в рамках квазигармонического приближения.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=46667383

U2 - 10.21883/FTP.2021.12.51698.13

DO - 10.21883/FTP.2021.12.51698.13

M3 - Статья

VL - 55

SP - 1149

EP - 1155

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 12

ER -

ID: 23910420