Standard

ПИКОСЕКУНДНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТОКА ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ (60 КА/СМ2) КРЕМНИЕВЫМ КОММУТАТОРОМ НА ОСНОВЕ СВЕРХБЫСТРОГО ФРОНТА ИОНИЗАЦИИ. / Гусев, А.И.; Любутин, С.К.; РУКИН, Сергей Николаевич et al.
In: Физика и техника полупроводников, Vol. 48, No. 8, 2014, p. 1095-1106.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Гусев, АИ, Любутин, СК, РУКИН, СН, Словиковский, БГ & Цыранов, СН 2014, 'ПИКОСЕКУНДНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТОКА ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ (60 КА/СМ2) КРЕМНИЕВЫМ КОММУТАТОРОМ НА ОСНОВЕ СВЕРХБЫСТРОГО ФРОНТА ИОНИЗАЦИИ', Физика и техника полупроводников, vol. 48, no. 8, pp. 1095-1106.

APA

Гусев, А. И., Любутин, С. К., РУКИН, С. Н., Словиковский, Б. Г., & Цыранов, С. Н. (2014). ПИКОСЕКУНДНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТОКА ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ (60 КА/СМ2) КРЕМНИЕВЫМ КОММУТАТОРОМ НА ОСНОВЕ СВЕРХБЫСТРОГО ФРОНТА ИОНИЗАЦИИ. Физика и техника полупроводников, 48(8), 1095-1106.

Vancouver

Гусев АИ, Любутин СК, РУКИН СН, Словиковский БГ, Цыранов СН. ПИКОСЕКУНДНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТОКА ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ (60 КА/СМ2) КРЕМНИЕВЫМ КОММУТАТОРОМ НА ОСНОВЕ СВЕРХБЫСТРОГО ФРОНТА ИОНИЗАЦИИ. Физика и техника полупроводников. 2014;48(8):1095-1106.

Author

Гусев, А.И. ; Любутин, С.К. ; РУКИН, Сергей Николаевич et al. / ПИКОСЕКУНДНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТОКА ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ (60 КА/СМ2) КРЕМНИЕВЫМ КОММУТАТОРОМ НА ОСНОВЕ СВЕРХБЫСТРОГО ФРОНТА ИОНИЗАЦИИ. In: Физика и техника полупроводников. 2014 ; Vol. 48, No. 8. pp. 1095-1106.

BibTeX

@article{8d82f98dc0f846bc953fadae7d87ec16,
title = "ПИКОСЕКУНДНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТОКА ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ (60 КА/СМ2) КРЕМНИЕВЫМ КОММУТАТОРОМ НА ОСНОВЕ СВЕРХБЫСТРОГО ФРОНТА ИОНИЗАЦИИ",
abstract = "При исследовании кремниевого коммутатора с механизмом последовательного переключения диодных структур на основе сверхбыстрого фронта ионизации в коаксиальной линии с волновым сопротивлением 48 Ом получены импульсы с амплитудой более 100 кВ и фронтом 40 пс по уровню 0.3-0.9 от амплитуды. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения достигает 2 МВ/нс при амплитудном значении плотности коммутируемого тока 60 кА/см2. Численное моделирование показало, что при скорости нарастания обратного напряжения на одну структуру >100 кВ/нс, реализованной в эксперименте, время коммутации единичных структур в приборе составляет 7-15 пс, а электрическое поле в p-n-переходе достигает порога зинеровского пробоя (~106 В/см) даже в том случае, когда структура диода содержит технологические примеси с глубокими уровнями ионизации с концентрацией до 1013 см-3.",
author = "А.И. Гусев and С.К. Любутин and РУКИН, {Сергей Николаевич} and Словиковский, {Б. Г.} and Цыранов, {Сергей Николаевич}",
year = "2014",
language = "Русский",
volume = "48",
pages = "1095--1106",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "8",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ПИКОСЕКУНДНОЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ ТОКА ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ (60 КА/СМ2) КРЕМНИЕВЫМ КОММУТАТОРОМ НА ОСНОВЕ СВЕРХБЫСТРОГО ФРОНТА ИОНИЗАЦИИ

AU - Гусев, А.И.

AU - Любутин, С.К.

AU - РУКИН, Сергей Николаевич

AU - Словиковский, Б. Г.

AU - Цыранов, Сергей Николаевич

PY - 2014

Y1 - 2014

N2 - При исследовании кремниевого коммутатора с механизмом последовательного переключения диодных структур на основе сверхбыстрого фронта ионизации в коаксиальной линии с волновым сопротивлением 48 Ом получены импульсы с амплитудой более 100 кВ и фронтом 40 пс по уровню 0.3-0.9 от амплитуды. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения достигает 2 МВ/нс при амплитудном значении плотности коммутируемого тока 60 кА/см2. Численное моделирование показало, что при скорости нарастания обратного напряжения на одну структуру >100 кВ/нс, реализованной в эксперименте, время коммутации единичных структур в приборе составляет 7-15 пс, а электрическое поле в p-n-переходе достигает порога зинеровского пробоя (~106 В/см) даже в том случае, когда структура диода содержит технологические примеси с глубокими уровнями ионизации с концентрацией до 1013 см-3.

AB - При исследовании кремниевого коммутатора с механизмом последовательного переключения диодных структур на основе сверхбыстрого фронта ионизации в коаксиальной линии с волновым сопротивлением 48 Ом получены импульсы с амплитудой более 100 кВ и фронтом 40 пс по уровню 0.3-0.9 от амплитуды. Максимальная скорость нарастания выходного напряжения достигает 2 МВ/нс при амплитудном значении плотности коммутируемого тока 60 кА/см2. Численное моделирование показало, что при скорости нарастания обратного напряжения на одну структуру >100 кВ/нс, реализованной в эксперименте, время коммутации единичных структур в приборе составляет 7-15 пс, а электрическое поле в p-n-переходе достигает порога зинеровского пробоя (~106 В/см) даже в том случае, когда структура диода содержит технологические примеси с глубокими уровнями ионизации с концентрацией до 1013 см-3.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=22018917

M3 - Статья

VL - 48

SP - 1095

EP - 1106

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 8

ER -

ID: 6471387