TY - JOUR

T1 - ЭЛЕКТРОННАЯ СТРУКТУРА И ЭЛЕКТРОННЫЕ СВОЙСТВА МОНОКРИСТАЛЛА PTSN4

AU - Марченков, Вячеслав Викторович

AU - Доможирова, А. Н.

AU - Махнев, А.А.

AU - Шредер, Е.И.

AU - Лукоянов, Алексей Владимирович

AU - Наумов, С. В.

AU - Чистяков, Василий В.

AU - Марченкова, Е.Б.

AU - Хуанг, Дж. С. А.

AU - Эйстерер, М.

PY - 2019

Y1 - 2019

N2 - Выращен монокристалл топологического полуметалла PtSn4 и исследованы его электросопротивление в диапазоне температур от 4.2 К до 300 К, гальваномагнитные свойства при температурах от 4.2 К до 80 К и в магнитных полях до 100 кЭ, оптические свойства при комнатной температуре, а также выполнены теоретические расчеты электронной структуры. Показано, что остаточное сопротивление достаточно мало и составляет ρ0 = 0.47 мкОм·см, что характерно для «хорошего» металла, а зависимость ρ(T )имеет металлический характер, монотонно возрастая с температурой. Анализ температурных зависимостей магнитосопротивления позволяет судить о том, что поверхность Ферми соединения PtSn4 может содержать замкнутые листы. Исследования эффекта Холла и сделанные оценки в рамках однозонной модели позволили заключить, что преобладающим типом носителей тока являются дырки с концентрацией n = 6.8 · 1021 см-3 и подвижностью μ ≈ 1950 см2/В·с при T = 4.2 K. Показано, что оптические свойства PtSn4 имеют особенности, характерные для «плохих» металлов. Расчет электронной структуры соединения PtSn4 показал, что, в целом, это соединение имеет структуру, характерную для металлических систем с достаточно большим числом электронных состояний на уровне Ферми, что согласуется с экспериментальными результатами по электронным транспортным и оптическим свойствам монокристалла PtSn4.

AB - Выращен монокристалл топологического полуметалла PtSn4 и исследованы его электросопротивление в диапазоне температур от 4.2 К до 300 К, гальваномагнитные свойства при температурах от 4.2 К до 80 К и в магнитных полях до 100 кЭ, оптические свойства при комнатной температуре, а также выполнены теоретические расчеты электронной структуры. Показано, что остаточное сопротивление достаточно мало и составляет ρ0 = 0.47 мкОм·см, что характерно для «хорошего» металла, а зависимость ρ(T )имеет металлический характер, монотонно возрастая с температурой. Анализ температурных зависимостей магнитосопротивления позволяет судить о том, что поверхность Ферми соединения PtSn4 может содержать замкнутые листы. Исследования эффекта Холла и сделанные оценки в рамках однозонной модели позволили заключить, что преобладающим типом носителей тока являются дырки с концентрацией n = 6.8 · 1021 см-3 и подвижностью μ ≈ 1950 см2/В·с при T = 4.2 K. Показано, что оптические свойства PtSn4 имеют особенности, характерные для «плохих» металлов. Расчет электронной структуры соединения PtSn4 показал, что, в целом, это соединение имеет структуру, характерную для металлических систем с достаточно большим числом электронных состояний на уровне Ферми, что согласуется с экспериментальными результатами по электронным транспортным и оптическим свойствам монокристалла PtSn4.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=37659268

U2 - 10.1134/S0044451019060154

DO - 10.1134/S0044451019060154

M3 - Статья

VL - 155

SP - 1107

EP - 1114

JO - Журнал экспериментальной и теоретической физики

JF - Журнал экспериментальной и теоретической физики

SN - 0044-4510

IS - 6

ER -