Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
}
TY - JOUR
T1 - МОРФОЛОГИЯ, СТРУКТУРА, ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА НАНОКРИСТАЛЛИЧЕСКИХ ПЛЕНОК CDSE, ЛЕГИРОВАННЫХ МЕДЬЮ
AU - Маскаева, Лариса Николаевна
AU - Марков, Вячеслав Филиппович
AU - Липина, Ольга Андреевна
AU - Поздин, Андрей Владимирович
AU - Анохина, Ирина Александровна
PY - 2020
Y1 - 2020
N2 - Гидрохимическим осаждением селеносульфатом натрия в присутствии добавки 5 × 10–4−10–3 моль/л хлорида меди(II) синтезированы нанокристаллические пленки CdSe на подложке из матированного стекла. Установлено, что введение хлорида меди(II) в реакционную смесь приводит к ускорению образования твердой фазы CdSe и уменьшению толщины слоя селенида кадмия от 240 до 130–160 нм. Выявлено, что легирование медью не влияет на кубическую В3 структуру (пр. гр. F4ˉ3m) пленки CdSe, но при 10–3 моль/л хлорида меди(II) в реакторе приводит к уменьшению периода кристаллической решетки от 0.59967 до 0.59899 нм, связанному с образованием пересыщенного твердого раствора замещения CuxCd1 – xSe (x = 0.03). Ширина запрещенной зоны пленки CdSe, рассчитанная по светопропусканию и диффузному отражению, составляет 1.8 эВ. Включение в пленку меди приводит к уменьшению Еg до 1.6 эВ. Показано, что легирование медью приводит к возникновению люминесценции в ближнем ИК-диапазоне спектра (680–780 нм) и к изменению n-типа проводимости на p-тип.
AB - Гидрохимическим осаждением селеносульфатом натрия в присутствии добавки 5 × 10–4−10–3 моль/л хлорида меди(II) синтезированы нанокристаллические пленки CdSe на подложке из матированного стекла. Установлено, что введение хлорида меди(II) в реакционную смесь приводит к ускорению образования твердой фазы CdSe и уменьшению толщины слоя селенида кадмия от 240 до 130–160 нм. Выявлено, что легирование медью не влияет на кубическую В3 структуру (пр. гр. F4ˉ3m) пленки CdSe, но при 10–3 моль/л хлорида меди(II) в реакторе приводит к уменьшению периода кристаллической решетки от 0.59967 до 0.59899 нм, связанному с образованием пересыщенного твердого раствора замещения CuxCd1 – xSe (x = 0.03). Ширина запрещенной зоны пленки CdSe, рассчитанная по светопропусканию и диффузному отражению, составляет 1.8 эВ. Включение в пленку меди приводит к уменьшению Еg до 1.6 эВ. Показано, что легирование медью приводит к возникновению люминесценции в ближнем ИК-диапазоне спектра (680–780 нм) и к изменению n-типа проводимости на p-тип.
UR - https://www.elibrary.ru/item.asp?id=44137559
U2 - 10.31857/S0044453720120195
DO - 10.31857/S0044453720120195
M3 - Статья
VL - 94
SP - 1797
EP - 1804
JO - Журнал физической химии
JF - Журнал физической химии
SN - 0044-4537
IS - 12
ER -
ID: 20118832