Standard

Harvard

APA

Vancouver

Author

BibTeX

@article{a3f01a01b2c642148c36fd51ebb5a37b,
title = "ГИДРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ. ЧАСТЬ 38. ГИДРОХИМИЧЕСКИЕ ОСАЖДЕНИЕ СЕЛЕНОСУЛЬФАТОМ НАТРИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК HGSE N-ТИПА",
abstract = "Бинарное полупроводниковое соединение HgSe в тонкопленочном состоянии представляет интерес в качестве материала для фундаментальных исследований благодаря своей необычной зонной структуре и практическому применению в качестве фотодетекторов, ИК-излучателей, перестраиваемых лазеров, ультразвуковых и газовых датчиков, катализаторов, светоотражающих материалов, преобразователей солнечной энергии. Существующие методы получения полупроводниковых слоев HgSe включают как физические, так и химические. В работе отмечается, что перспективным является химическое осаждение селенида ртути селеносульфатом натрия, исключающим образование цианамида металла. На основе представления об обратимом характере гидролитического разложения селеносульфата натрия в водных растворах проведен термодинамический анализ условий осаждения и установлены концентрационные области образования основной HgSe и примесной Hg(OH)2 твердых фаз из щелочных реакционных систем “Hg(NO3)2 - NH4SCN - Na2SeSO3” и “Hg(NO3)2 - NH4SCN - NH4I - Na2SeSO3” (рН = 8...",
author = "Маскаева, {Лариса Николаевна} and Кутявина, {Анастасия Дмитриевна} and Марков, {Вячеслав Филиппович}",
year = "2018",
language = "Русский",
volume = "56",
pages = "91--101",
journal = "Бутлеровские сообщения",
issn = "2074-0212",
publisher = "Общество с ограниченной ответственностью {"}Инновационно-издательский дом {"}Бутлеровское наследие{"}",
number = "12",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ГИДРОХИМИЧЕСКИЙ СИНТЕЗ ПЛЕНОК ХАЛЬКОГЕНИДОВ МЕТАЛЛОВ. ЧАСТЬ 38. ГИДРОХИМИЧЕСКИЕ ОСАЖДЕНИЕ СЕЛЕНОСУЛЬФАТОМ НАТРИЯ ТОНКИХ ПЛЕНОК HGSE N-ТИПА

AU - Маскаева, Лариса Николаевна

AU - Кутявина, Анастасия Дмитриевна

AU - Марков, Вячеслав Филиппович

PY - 2018

Y1 - 2018

N2 - Бинарное полупроводниковое соединение HgSe в тонкопленочном состоянии представляет интерес в качестве материала для фундаментальных исследований благодаря своей необычной зонной структуре и практическому применению в качестве фотодетекторов, ИК-излучателей, перестраиваемых лазеров, ультразвуковых и газовых датчиков, катализаторов, светоотражающих материалов, преобразователей солнечной энергии. Существующие методы получения полупроводниковых слоев HgSe включают как физические, так и химические. В работе отмечается, что перспективным является химическое осаждение селенида ртути селеносульфатом натрия, исключающим образование цианамида металла. На основе представления об обратимом характере гидролитического разложения селеносульфата натрия в водных растворах проведен термодинамический анализ условий осаждения и установлены концентрационные области образования основной HgSe и примесной Hg(OH)2 твердых фаз из щелочных реакционных систем “Hg(NO3)2 - NH4SCN - Na2SeSO3” и “Hg(NO3)2 - NH4SCN - NH4I - Na2SeSO3” (рН = 8...

AB - Бинарное полупроводниковое соединение HgSe в тонкопленочном состоянии представляет интерес в качестве материала для фундаментальных исследований благодаря своей необычной зонной структуре и практическому применению в качестве фотодетекторов, ИК-излучателей, перестраиваемых лазеров, ультразвуковых и газовых датчиков, катализаторов, светоотражающих материалов, преобразователей солнечной энергии. Существующие методы получения полупроводниковых слоев HgSe включают как физические, так и химические. В работе отмечается, что перспективным является химическое осаждение селенида ртути селеносульфатом натрия, исключающим образование цианамида металла. На основе представления об обратимом характере гидролитического разложения селеносульфата натрия в водных растворах проведен термодинамический анализ условий осаждения и установлены концентрационные области образования основной HgSe и примесной Hg(OH)2 твердых фаз из щелочных реакционных систем “Hg(NO3)2 - NH4SCN - Na2SeSO3” и “Hg(NO3)2 - NH4SCN - NH4I - Na2SeSO3” (рН = 8...

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=36729852

M3 - Статья

VL - 56

SP - 91

EP - 101

JO - Бутлеровские сообщения

JF - Бутлеровские сообщения

SN - 2074-0212

IS - 12

ER -

ID: 8889515