Электронное рассеяние света в YE>6 и его структурном и электронном аналоге ЬаВб исследовано в области температур 10-730 К. Проведено сравнение экспериментальных спектров с рассчитанными на основе первопринципных зонных структур с учетом эффектов перенормировки вследствие электрон- фононного взаимодействия. Для LаВ б получено хорошее согласие расчета и эксперимента во всей области температур. Это позволило определить константу связи λ ep = 0.25. Для удовлетворительного описания спектров ЭРС в YB6 необходимо введение дополнительного канала релаксации электронов. При этом оценка λ ер для электрон-фононного взаимодействия не превышает 0.4, что не дает возможности описать высокую температуру перехода в сверхпроводящее состояние одним фононным механизмом.