Standard

КИНЕТИКА ОСАЖДЕНИЯ И РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА ИНДИЯ(III). / Туленин, Станислав Сергеевич; Маскаева, Лариса Николаевна; Марков, Вячеслав Филиппович.
In: Журнал общей химии, Vol. 86, No. 8, 2016, p. 1252-1257.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Туленин, СС, Маскаева, ЛН & Марков, ВФ 2016, 'КИНЕТИКА ОСАЖДЕНИЯ И РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА ИНДИЯ(III)', Журнал общей химии, vol. 86, no. 8, pp. 1252-1257.

APA

Туленин, С. С., Маскаева, Л. Н., & Марков, В. Ф. (2016). КИНЕТИКА ОСАЖДЕНИЯ И РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА ИНДИЯ(III). Журнал общей химии, 86(8), 1252-1257.

Vancouver

Туленин СС, Маскаева ЛН, Марков ВФ. КИНЕТИКА ОСАЖДЕНИЯ И РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА ИНДИЯ(III). Журнал общей химии. 2016;86(8):1252-1257.

Author

Туленин, Станислав Сергеевич ; Маскаева, Лариса Николаевна ; Марков, Вячеслав Филиппович. / КИНЕТИКА ОСАЖДЕНИЯ И РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА ИНДИЯ(III). In: Журнал общей химии. 2016 ; Vol. 86, No. 8. pp. 1252-1257.

BibTeX

@article{c15ff5f4dfec407088dea6668eb53caa,
title = "КИНЕТИКА ОСАЖДЕНИЯ И РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА ИНДИЯ(III)",
abstract = "Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих нитрат индия, тиоацетамид, винную кислоту и солянокислый гидроксиламин, в области температур 333-368 К были получены тонкие пленки сульфида индия(III). Исследована кинетика осаждения In2S3 и роста пленок в условиях самопроизвольного зарождения твердой фазы в объеме раствора. Выведено формально-кинетическое уравнение скорости образования сульфида индия(III), учитывающее частные порядки реакции химического осаждения In2S3 по компонентам системы и энергию активации процесса. Исследована кинетика роста пленок In2S3 в системе винная кислота-гидроксиламин в зависимости от состава реакционной смеси, температуры и продолжительности синтеза.",
author = "Туленин, {Станислав Сергеевич} and Маскаева, {Лариса Николаевна} and Марков, {Вячеслав Филиппович}",
year = "2016",
language = "Русский",
volume = "86",
pages = "1252--1257",
journal = "Журнал общей химии",
issn = "0044-460X",
publisher = "MEZHDUNARODNAYA KNIGA",
number = "8",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - КИНЕТИКА ОСАЖДЕНИЯ И РОСТА ТОНКИХ ПЛЕНОК СУЛЬФИДА ИНДИЯ(III)

AU - Туленин, Станислав Сергеевич

AU - Маскаева, Лариса Николаевна

AU - Марков, Вячеслав Филиппович

PY - 2016

Y1 - 2016

N2 - Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих нитрат индия, тиоацетамид, винную кислоту и солянокислый гидроксиламин, в области температур 333-368 К были получены тонкие пленки сульфида индия(III). Исследована кинетика осаждения In2S3 и роста пленок в условиях самопроизвольного зарождения твердой фазы в объеме раствора. Выведено формально-кинетическое уравнение скорости образования сульфида индия(III), учитывающее частные порядки реакции химического осаждения In2S3 по компонентам системы и энергию активации процесса. Исследована кинетика роста пленок In2S3 в системе винная кислота-гидроксиламин в зависимости от состава реакционной смеси, температуры и продолжительности синтеза.

AB - Методом химического осаждения из водных растворов, содержащих нитрат индия, тиоацетамид, винную кислоту и солянокислый гидроксиламин, в области температур 333-368 К были получены тонкие пленки сульфида индия(III). Исследована кинетика осаждения In2S3 и роста пленок в условиях самопроизвольного зарождения твердой фазы в объеме раствора. Выведено формально-кинетическое уравнение скорости образования сульфида индия(III), учитывающее частные порядки реакции химического осаждения In2S3 по компонентам системы и энергию активации процесса. Исследована кинетика роста пленок In2S3 в системе винная кислота-гидроксиламин в зависимости от состава реакционной смеси, температуры и продолжительности синтеза.

UR - http://elibrary.ru/item.asp?id=26468377

M3 - Статья

VL - 86

SP - 1252

EP - 1257

JO - Журнал общей химии

JF - Журнал общей химии

SN - 0044-460X

IS - 8

ER -

ID: 1283644