Standard

ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ AGGE1+XAS1-XS3. / Хейфец, Ольга Леонидовна; Шакиров, Эльдар Фидаритович; Мельникова, Нина Владимировна et al.
In: Физика и техника полупроводников, Vol. 46, No. 7, 2012, p. 966-970.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Хейфец, ОЛ, Шакиров, ЭФ, Мельникова, НВ, Филиппов, АЛ & Нугаева, ЛЛ 2012, 'ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ AGGE1+XAS1-XS3', Физика и техника полупроводников, vol. 46, no. 7, pp. 966-970.

APA

Хейфец, О. Л., Шакиров, Э. Ф., Мельникова, Н. В., Филиппов, А. Л., & Нугаева, Л. Л. (2012). ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ AGGE1+XAS1-XS3. Физика и техника полупроводников, 46(7), 966-970.

Vancouver

Хейфец ОЛ, Шакиров ЭФ, Мельникова НВ, Филиппов АЛ, Нугаева ЛЛ. ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ AGGE1+XAS1-XS3. Физика и техника полупроводников. 2012;46(7):966-970.

Author

Хейфец, Ольга Леонидовна ; Шакиров, Эльдар Фидаритович ; Мельникова, Нина Владимировна et al. / ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ AGGE1+XAS1-XS3. In: Физика и техника полупроводников. 2012 ; Vol. 46, No. 7. pp. 966-970.

BibTeX

@article{5191b82e14a941f0bc0b1a2987efeb57,
title = "ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ AGGE1+XAS1-XS3",
abstract = "Работа посвящена синтезу и исследованию электрических свойств аморфных халькогенидов AgGe1+xAs1-xS3 (x=0.1, 0.4-0.6, 0.9) при низких температурах. Исследования проведены с целью получения материалов с улучшенными характеристиками (увеличение доли ионного переноса, снижение температур его появления, увеличение величины проводимости). Синтезированные соединения являются электронно-ионными проводниками. Увеличение доли германия приводит к повышению температуры начала ионного переноса и к уменьшению удельной электропроводности.",
author = "Хейфец, {Ольга Леонидовна} and Шакиров, {Эльдар Фидаритович} and Мельникова, {Нина Владимировна} and Филиппов, {Алексей Леонидович} and Нугаева, {Лариса Львовна}",
year = "2012",
language = "Русский",
volume = "46",
pages = "966--970",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ВЛИЯНИЕ СОСТАВА НА ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА АМОРФНЫХ ХАЛЬКОГЕНИДОВ AGGE1+XAS1-XS3

AU - Хейфец, Ольга Леонидовна

AU - Шакиров, Эльдар Фидаритович

AU - Мельникова, Нина Владимировна

AU - Филиппов, Алексей Леонидович

AU - Нугаева, Лариса Львовна

PY - 2012

Y1 - 2012

N2 - Работа посвящена синтезу и исследованию электрических свойств аморфных халькогенидов AgGe1+xAs1-xS3 (x=0.1, 0.4-0.6, 0.9) при низких температурах. Исследования проведены с целью получения материалов с улучшенными характеристиками (увеличение доли ионного переноса, снижение температур его появления, увеличение величины проводимости). Синтезированные соединения являются электронно-ионными проводниками. Увеличение доли германия приводит к повышению температуры начала ионного переноса и к уменьшению удельной электропроводности.

AB - Работа посвящена синтезу и исследованию электрических свойств аморфных халькогенидов AgGe1+xAs1-xS3 (x=0.1, 0.4-0.6, 0.9) при низких температурах. Исследования проведены с целью получения материалов с улучшенными характеристиками (увеличение доли ионного переноса, снижение температур его появления, увеличение величины проводимости). Синтезированные соединения являются электронно-ионными проводниками. Увеличение доли германия приводит к повышению температуры начала ионного переноса и к уменьшению удельной электропроводности.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=20319211

M3 - Статья

VL - 46

SP - 966

EP - 970

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 7

ER -

ID: 9225937