РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭЛЕКТРОПРОВОДИМОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА BI2SE3

Standard

РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭЛЕКТРОПРОВОДИМОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА BI2SE3. / Чистяков, Василий В.; Доможирова, А.Н.; Хуанг, Дж.Ч. Э. et al.
In: Известия Российской академии наук. Серия физическая, Vol. 83, No. 7, 2019, p. 921-923.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Author

Чистяков, Василий В. ; Доможирова, А.Н. ; Хуанг, Дж.Ч. Э. et al. / РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭЛЕКТРОПРОВОДИМОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА BI2SE3. In: Известия Российской академии наук. Серия физическая. 2019 ; Vol. 83, No. 7. pp. 921-923.

BibTeX

@article{e243c2fafd1d4f6cb8defe0c26f507ef,

title = "РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭЛЕКТРОПРОВОДИМОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА BI2SE3",

abstract = "Измерено электросопротивление тонких пленок топологического изолятора (ТИ) Bi2Se3 толщиной от 10 до 75 нм в интервале температур от 4.2 до 300 K. Обнаружен размерный эффект в электропроводимости пленок Bi2Se3, т.е. линейная зависимость проводимости пленки от ее обратной толщины. Высказано предположение, что подобный эффект может наблюдаться в других ТИ и системах с неоднородным распределением тока по сечению образца.",

author = "Чистяков, {Василий В.} and А.Н. Доможирова and Хуанг, {Дж.Ч. Э.} and Марченков, {Вячеслав Викторович}",

year = "2019",

doi = "10.1134/S0367676519070111",

language = "Русский",

volume = "83",

pages = "921--923",

journal = "Известия Российской академии наук. Серия физическая",

issn = "0367-6765",

publisher = "Российская академия наук",

number = "7",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - РАЗМЕРНЫЙ ЭФФЕКТ В ЭЛЕКТРОПРОВОДИМОСТИ ТОНКИХ ПЛЕНОК ТОПОЛОГИЧЕСКОГО ИЗОЛЯТОРА BI2SE3

AU - Чистяков, Василий В.

AU - Доможирова, А.Н.

AU - Хуанг, Дж.Ч. Э.

AU - Марченков, Вячеслав Викторович

PY - 2019

Y1 - 2019

N2 - Измерено электросопротивление тонких пленок топологического изолятора (ТИ) Bi2Se3 толщиной от 10 до 75 нм в интервале температур от 4.2 до 300 K. Обнаружен размерный эффект в электропроводимости пленок Bi2Se3, т.е. линейная зависимость проводимости пленки от ее обратной толщины. Высказано предположение, что подобный эффект может наблюдаться в других ТИ и системах с неоднородным распределением тока по сечению образца.

AB - Измерено электросопротивление тонких пленок топологического изолятора (ТИ) Bi2Se3 толщиной от 10 до 75 нм в интервале температур от 4.2 до 300 K. Обнаружен размерный эффект в электропроводимости пленок Bi2Se3, т.е. линейная зависимость проводимости пленки от ее обратной толщины. Высказано предположение, что подобный эффект может наблюдаться в других ТИ и системах с неоднородным распределением тока по сечению образца.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=38487636

U2 - 10.1134/S0367676519070111

DO - 10.1134/S0367676519070111

M3 - Статья

VL - 83

SP - 921

EP - 923

JO - Известия Российской академии наук. Серия физическая

JF - Известия Российской академии наук. Серия физическая

SN - 0367-6765

IS - 7

ER -

ID: 10354750