TY - PAT

T1 - Способ выращивания галогенидсеребряных монокристаллов на основе твердых растворов системы AgBr 0,7I0,3 - AgCl (варианты)

T2 - патент на изобретение

AU - Жукова, Лия Васильевна

AU - Шатунова, Дарья Викторовна

AU - Салимгареев, Дмитрий Дарисович

AU - Южакова, Анастасия Алексеевна

AU - Львов, Александр Евгеньевич

AU - Корсаков, Александр Сергеевич

PY - 2023/11/14

Y1 - 2023/11/14

N2 - Изобретение может быть использовано при изготовлении оптических материалов, устойчивых к ионизирующему излучению, являющихся пластичными, нетоксичными, негигроскопичными и высокопрозрачными на уровне теоретических значений в видимом, инфракрасном и терагерцовом диапазонах, предназначенных для лазерной техники, медицины, ИК волоконной и терагерцовой оптики, оптоэлектроники и фотоники. Сначала базовым гидрохимическим методом термозонной кристаллизации получают шихту на основе солей однофазных твёрдых растворов чистотой по катионным примесям 99,9999 мас.%. Затем шихту загружают в ампулу из стекла пирекс с отверстием в конусной части и помещают ее над ампулой для выращивания монокристаллов. Обе ампулы размещают в верхней части установки, реализующей вертикальный метод Бриджмена, где шихту расплавляют, прокапывают расплав в ампулу для выращивания монокристаллов, выдерживают в течение часа и перемещают ампулу в нижнюю зону с пониженной температурой со скоростью 0,5–1,0 мм/ч для формирования монокристаллов на основе однофазного твердого раствора. Для формирования совершенной структуры монокристалла на основе однофазного твёрдого раствора кубической сингонии структурного типа NaCl в установке проводят отжиг при 100°С в течение 20 ч. Способ выращивания галогенидсеребряных монокристаллов на основе твёрдых растворов системы AgBr0,7I0,3 – AgCl осуществляют в двух вариантах. По первому варианту высокочистую дисперсную однофазную шихту получают на основе твёрдого раствора AgBr0,7I0,3, дополнительно содержащего твёрдый раствор AgCl0,18Br0,58I0,24,при соотношении, мол. %: AgBr0,7I0,3 98,0–82,0; AgCl0,18Br0,58I0,24 2,0–18,0, расплавляют её при 410–430°С, а перемещение с указанной выше скоростью осуществляют в нижнюю зону установки, имеющую температуру 290–310°С. По второму варианту высокочистую дисперсную однофазную шихту получают на основе твёрдого раствора AgCl, дополнительно содержащего твёрдый раствор AgCl0,73Br0,19I0,08, при соотношении мол.%: AgCl 98,0–73,0; AgCl0,73Br0,19I0,08 2,0–27,0, расплавляют её при 430–490°С, а перемещение с указанной выше скоростью осуществляют в нижнюю зону установки, имеющую температуру 290–350°С. Впервые изучена фазовая диаграмма системы AgBr0,7I0,3 - AgCl. Полученные галогенидсеребряные монокристаллы устойчивы к ионизирующим излучениям и прозрачны в спектральном диапазоне от 0,4 до 50,0 мкм без окон поглощения за счёт содержания в их составе кристаллов тяжёлого по молекулярной массе йодида серебра, обладают высокой пластичностью и устойчивостью к влаге. Изделия на их основе нетоксичны. 2 н.п. ф-лы, 1 ил., 3 пр.

AB - Изобретение может быть использовано при изготовлении оптических материалов, устойчивых к ионизирующему излучению, являющихся пластичными, нетоксичными, негигроскопичными и высокопрозрачными на уровне теоретических значений в видимом, инфракрасном и терагерцовом диапазонах, предназначенных для лазерной техники, медицины, ИК волоконной и терагерцовой оптики, оптоэлектроники и фотоники. Сначала базовым гидрохимическим методом термозонной кристаллизации получают шихту на основе солей однофазных твёрдых растворов чистотой по катионным примесям 99,9999 мас.%. Затем шихту загружают в ампулу из стекла пирекс с отверстием в конусной части и помещают ее над ампулой для выращивания монокристаллов. Обе ампулы размещают в верхней части установки, реализующей вертикальный метод Бриджмена, где шихту расплавляют, прокапывают расплав в ампулу для выращивания монокристаллов, выдерживают в течение часа и перемещают ампулу в нижнюю зону с пониженной температурой со скоростью 0,5–1,0 мм/ч для формирования монокристаллов на основе однофазного твердого раствора. Для формирования совершенной структуры монокристалла на основе однофазного твёрдого раствора кубической сингонии структурного типа NaCl в установке проводят отжиг при 100°С в течение 20 ч. Способ выращивания галогенидсеребряных монокристаллов на основе твёрдых растворов системы AgBr0,7I0,3 – AgCl осуществляют в двух вариантах. По первому варианту высокочистую дисперсную однофазную шихту получают на основе твёрдого раствора AgBr0,7I0,3, дополнительно содержащего твёрдый раствор AgCl0,18Br0,58I0,24,при соотношении, мол. %: AgBr0,7I0,3 98,0–82,0; AgCl0,18Br0,58I0,24 2,0–18,0, расплавляют её при 410–430°С, а перемещение с указанной выше скоростью осуществляют в нижнюю зону установки, имеющую температуру 290–310°С. По второму варианту высокочистую дисперсную однофазную шихту получают на основе твёрдого раствора AgCl, дополнительно содержащего твёрдый раствор AgCl0,73Br0,19I0,08, при соотношении мол.%: AgCl 98,0–73,0; AgCl0,73Br0,19I0,08 2,0–27,0, расплавляют её при 430–490°С, а перемещение с указанной выше скоростью осуществляют в нижнюю зону установки, имеющую температуру 290–350°С. Впервые изучена фазовая диаграмма системы AgBr0,7I0,3 - AgCl. Полученные галогенидсеребряные монокристаллы устойчивы к ионизирующим излучениям и прозрачны в спектральном диапазоне от 0,4 до 50,0 мкм без окон поглощения за счёт содержания в их составе кристаллов тяжёлого по молекулярной массе йодида серебра, обладают высокой пластичностью и устойчивостью к влаге. Изделия на их основе нетоксичны. 2 н.п. ф-лы, 1 ил., 3 пр.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=56009364

M3 - Патент

M1 - 2807428

Y2 - 2023/02/13

PB - Федеральный институт промышленной собственности

ER -