Standard

ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ И ДВОЙНИКОВ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОДНООСНОГО СЖАТИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАГНИЯ: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ. / Власова, А. М.; Никонов , А. Ю.
In: Кристаллография, Vol. 63, No. 3, 2018, p. 371-379.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Власова, АМ & Никонов , АЮ 2018, 'ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ И ДВОЙНИКОВ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОДНООСНОГО СЖАТИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАГНИЯ: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ', Кристаллография, vol. 63, no. 3, pp. 371-379. https://doi.org/10.7868/S0023476118030050

APA

Власова, А. М., & Никонов , А. Ю. (2018). ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ И ДВОЙНИКОВ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОДНООСНОГО СЖАТИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАГНИЯ: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ. Кристаллография, 63(3), 371-379. https://doi.org/10.7868/S0023476118030050

Vancouver

Власова АМ, Никонов АЮ. ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ И ДВОЙНИКОВ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОДНООСНОГО СЖАТИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАГНИЯ: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ. Кристаллография. 2018;63(3):371-379. doi: 10.7868/S0023476118030050

Author

Власова, А. М. ; Никонов , А. Ю. / ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ И ДВОЙНИКОВ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОДНООСНОГО СЖАТИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАГНИЯ: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ. In: Кристаллография. 2018 ; Vol. 63, No. 3. pp. 371-379.

BibTeX

@article{b520ed45d8b14423a197094fca455ba6,
title = "ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ И ДВОЙНИКОВ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОДНООСНОГО СЖАТИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАГНИЯ: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ",
abstract = "Проведено атомистическое моделирование деформации идеального кристалла магния вдоль кристаллографической оси [112-0]. Детально рассмотрено изменение дефектов кристаллической структуры в процессе нагружения при Т = 300-350 К. Установлено, что зарождение дислокаций в идеальном кристалле происходит при достижении уровня напряжений 0.1G (G - модуль сдвига). Действующими деформационными модами явились призматическое скольжение a-дислокаций и {101-3}-двойникование. Наблюдалось образование дислокационных сеток и дислокационных узлов в плоскости двойникования. Предлагаются реакции, описывающие эволюцию дислокаций в плоскости (3-034).",
author = "Власова, {А. М.} and Никонов, {А. Ю.}",
year = "2018",
doi = "10.7868/S0023476118030050",
language = "Русский",
volume = "63",
pages = "371--379",
journal = "Кристаллография",
issn = "0023-4761",
publisher = "MEZHDUNARODNAYA KNIGA",
number = "3",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ОБРАЗОВАНИЕ ДИСЛОКАЦИЙ И ДВОЙНИКОВ В РЕЗУЛЬТАТЕ ОДНООСНОГО СЖАТИЯ МОНОКРИСТАЛЛОВ МАГНИЯ: МОДЕЛИРОВАНИЕ МЕТОДОМ МОЛЕКУЛЯРНОЙ ДИНАМИКИ

AU - Власова, А. М.

AU - Никонов , А. Ю.

PY - 2018

Y1 - 2018

N2 - Проведено атомистическое моделирование деформации идеального кристалла магния вдоль кристаллографической оси [112-0]. Детально рассмотрено изменение дефектов кристаллической структуры в процессе нагружения при Т = 300-350 К. Установлено, что зарождение дислокаций в идеальном кристалле происходит при достижении уровня напряжений 0.1G (G - модуль сдвига). Действующими деформационными модами явились призматическое скольжение a-дислокаций и {101-3}-двойникование. Наблюдалось образование дислокационных сеток и дислокационных узлов в плоскости двойникования. Предлагаются реакции, описывающие эволюцию дислокаций в плоскости (3-034).

AB - Проведено атомистическое моделирование деформации идеального кристалла магния вдоль кристаллографической оси [112-0]. Детально рассмотрено изменение дефектов кристаллической структуры в процессе нагружения при Т = 300-350 К. Установлено, что зарождение дислокаций в идеальном кристалле происходит при достижении уровня напряжений 0.1G (G - модуль сдвига). Действующими деформационными модами явились призматическое скольжение a-дислокаций и {101-3}-двойникование. Наблюдалось образование дислокационных сеток и дислокационных узлов в плоскости двойникования. Предлагаются реакции, описывающие эволюцию дислокаций в плоскости (3-034).

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=34970824

U2 - 10.7868/S0023476118030050

DO - 10.7868/S0023476118030050

M3 - Статья

VL - 63

SP - 371

EP - 379

JO - Кристаллография

JF - Кристаллография

SN - 0023-4761

IS - 3

ER -

ID: 7477721