Описаны примеры роста кристаллов металлов, сплавов, халькогенидов и пниктидов в расплавах галогенидов щелочных металлов и алюминия в условиях стационарного температурного градиента. В качестве среды для переноса использованы расплавы солей эвтектического состава с участием LiCl, NaCl, KCl, RbCl, CsCl, AlCl3, AlBr3, KBr, KI в температурном интервале 850–150°С. Некоторые кристаллы синтезировали только с использованием проводящего контура. Этот способ получения кристаллов аналогичен электрохимическому методу. В отдельных случаях для устранения взаимного влияния некоторые элементы были изолированы и мигрировали к месту образования кристалла по независимым каналам. В результате были получены кристаллы необходимого качества без использования специального оборудования, размеры которых достаточны для изучения в лабораторных условиях.