Представлены результаты исследований и анализа электрофизических и фотоэлектрических свойств сложных халькогенидов меди, а именно, CuSnAsSee, проявляющего сегнетоэлектрические свойства, и CuInAsSe, обладающего ионной проводимостью. Установлены спектральные и температурные области фоточувствительности кристаллов. Из анализа кривых термостимул и рова иной проводимости в CuInAsSe оценены величины глубины залегания центров захвата носителей, проявляющихся в условиях термической активации.