Standard

Программа для моделирования движения доменной стенки на полярной поверхности одноосного сегнетоэлектрика: свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ. / Лобов, Алексей Иванович (Inventor); Кособоков, Михаил Сергеевич (Inventor).
Федеральный институт промышленной собственности. Patent No.: 2023669444. Sept 14, 2023.

Research output: Patent

Harvard

Лобов, АИ & Кособоков, МС Sept. 14 2023, Программа для моделирования движения доменной стенки на полярной поверхности одноосного сегнетоэлектрика: свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ, Patent No. 2023669444. <https://www1.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=EVM&DocNumber=2023669444&TypeFile=html>

APA

Лобов, А. И., & Кособоков, М. С. (2023). Программа для моделирования движения доменной стенки на полярной поверхности одноосного сегнетоэлектрика: свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ. (Patent No. 2023669444). Федеральный институт промышленной собственности. https://www1.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=EVM&DocNumber=2023669444&TypeFile=html

Vancouver

Лобов АИ, Кособоков МС, inventors. Программа для моделирования движения доменной стенки на полярной поверхности одноосного сегнетоэлектрика: свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ. 2023669444. 2023 Sept 14.

Author

Лобов, Алексей Иванович (Inventor) ; Кособоков, Михаил Сергеевич (Inventor). / Программа для моделирования движения доменной стенки на полярной поверхности одноосного сегнетоэлектрика : свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ. Федеральный институт промышленной собственности. Patent No.: 2023669444. Sept 14, 2023.

BibTeX

@misc{ed339a1beaab44f185a4cd557b638725,
title = "Программа для моделирования движения доменной стенки на полярной поверхности одноосного сегнетоэлектрика: свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ",
abstract = "Программа численным методом рассчитывает изменение формы плоской доменной стенки с изолированными выступами, движущейся при приложении однородного внешнего электрического поля в условиях неполного экранирования деполяризующего поля. Растущий домен рассматривается как массив заряженных отрезков, скорость удлинения которых определяется величиной локального электрического поля. Входные параметры: количество и величина выступов на стенке, плотность поверхностного заряда, глубина расчёта поля, пороговое значение поля переключения, подвижность доменной стенки, временной шаг расчёта и размеры расчётной области. Исследование эволюции формы доменной стенки может быть использовано в доменной инженерии. Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег.№ 2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).",
author = "Лобов, {Алексей Иванович} and Кособоков, {Михаил Сергеевич}",
note = "Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег.№ 2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).; 2023669444",
year = "2023",
month = sep,
day = "14",
language = "Русский",
publisher = "Федеральный институт промышленной собственности",
address = "Российская Федерация",
type = "Patent",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Программа для моделирования движения доменной стенки на полярной поверхности одноосного сегнетоэлектрика

T2 - свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ

AU - Лобов, Алексей Иванович

AU - Кособоков, Михаил Сергеевич

N1 - Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег.№ 2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).

PY - 2023/9/14

Y1 - 2023/9/14

N2 - Программа численным методом рассчитывает изменение формы плоской доменной стенки с изолированными выступами, движущейся при приложении однородного внешнего электрического поля в условиях неполного экранирования деполяризующего поля. Растущий домен рассматривается как массив заряженных отрезков, скорость удлинения которых определяется величиной локального электрического поля. Входные параметры: количество и величина выступов на стенке, плотность поверхностного заряда, глубина расчёта поля, пороговое значение поля переключения, подвижность доменной стенки, временной шаг расчёта и размеры расчётной области. Исследование эволюции формы доменной стенки может быть использовано в доменной инженерии. Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег.№ 2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).

AB - Программа численным методом рассчитывает изменение формы плоской доменной стенки с изолированными выступами, движущейся при приложении однородного внешнего электрического поля в условиях неполного экранирования деполяризующего поля. Растущий домен рассматривается как массив заряженных отрезков, скорость удлинения которых определяется величиной локального электрического поля. Входные параметры: количество и величина выступов на стенке, плотность поверхностного заряда, глубина расчёта поля, пороговое значение поля переключения, подвижность доменной стенки, временной шаг расчёта и размеры расчётной области. Исследование эволюции формы доменной стенки может быть использовано в доменной инженерии. Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег.№ 2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=54657131

M3 - Патент

M1 - 2023669444

Y2 - 2023/08/23

PB - Федеральный институт промышленной собственности

ER -

ID: 57078390