Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
Research output: Contribution to journal › Article › peer-review
}
TY - JOUR
T1 - Исследование процесса спада напряжения при ударно-ионизационном переключении силовых тиристоров
AU - Гусев, А.И.
AU - Любутин, С.К.
AU - Рукин, С.Н.
AU - Цыранов, С.Н.
PY - 2017
Y1 - 2017
N2 - Исследован процесс спада напряжения на силовых тиристорах, переключаемых в проводящее состояние волной ударной ионизации, возбуждаемой подачей на основные электроды тиристора импульса перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах на тиристор с рабочим напряжением 2 кВ подавалось напряжение со скоростью нарастания dU/dt в диапазоне 0.5-6кВ/нс. Численное моделирование показало, что расчетные и экспериментально наблюдаемые времена спада напряжения имеют количественное согласие только в том случае, когда величина активной площади структуры, через которую проходит ток переключения, зависит от dU/dt. Активная площадь увеличивается с возрастанием dU также с увеличением удельного сопротивления исходного кремния. При этом активная площадь монотонно приближается к полной площади структуры при dU/dt > 12кВ/нс.
AB - Исследован процесс спада напряжения на силовых тиристорах, переключаемых в проводящее состояние волной ударной ионизации, возбуждаемой подачей на основные электроды тиристора импульса перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах на тиристор с рабочим напряжением 2 кВ подавалось напряжение со скоростью нарастания dU/dt в диапазоне 0.5-6кВ/нс. Численное моделирование показало, что расчетные и экспериментально наблюдаемые времена спада напряжения имеют количественное согласие только в том случае, когда величина активной площади структуры, через которую проходит ток переключения, зависит от dU/dt. Активная площадь увеличивается с возрастанием dU также с увеличением удельного сопротивления исходного кремния. При этом активная площадь монотонно приближается к полной площади структуры при dU/dt > 12кВ/нс.
UR - http://elibrary.ru/item.asp?id=29404924
U2 - 10.21883/FTP.2017.05.44429.8367
DO - 10.21883/FTP.2017.05.44429.8367
M3 - Статья
VL - 51
SP - 680
EP - 688
JO - Физика и техника полупроводников
JF - Физика и техника полупроводников
SN - 0015-3222
IS - 5
ER -
ID: 1996058