ГЕНЕРАЦИЯ МОЩНЫХ СВЧ КОЛЕБАНИЙ НАПРЯЖЕНИЯ В ДИФФУЗИОННОМ КРЕМНИЕВОМ ДИОДЕ

Standard

ГЕНЕРАЦИЯ МОЩНЫХ СВЧ КОЛЕБАНИЙ НАПРЯЖЕНИЯ В ДИФФУЗИОННОМ КРЕМНИЕВОМ ДИОДЕ. / Любутин, Сергей К.; РУКИН, Сергей Николаевич; Словиковский, Б. Г. et al.
In: Физика и техника полупроводников, Vol. 47, No. 5, 2013, p. 658-666.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Author

Любутин, Сергей К. ; РУКИН, Сергей Николаевич ; Словиковский, Б. Г. et al. / ГЕНЕРАЦИЯ МОЩНЫХ СВЧ КОЛЕБАНИЙ НАПРЯЖЕНИЯ В ДИФФУЗИОННОМ КРЕМНИЕВОМ ДИОДЕ. In: Физика и техника полупроводников. 2013 ; Vol. 47, No. 5. pp. 658-666.

BibTeX

@article{2d77448502b64ec08690b91ebdcdcc17,

title = "ГЕНЕРАЦИЯ МОЩНЫХ СВЧ КОЛЕБАНИЙ НАПРЯЖЕНИЯ В ДИФФУЗИОННОМ КРЕМНИЕВОМ ДИОДЕ",

abstract = "Исследован механизм генерации мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде. Через диод с толщиной структуры 320 мкм, глубиной залегания p-n-перехода 220 мкм и площадью 0.5 см2 пропускался обратный ток амплитудой 2 кА. При среднем напряжении на диоде около 300 B и длительности СВЧ импульса ~200 нс максимальный размах наблюдаемых колебаний достигает 480 В. Частота колебаний находится в диапазоне от 5 до 7 ГГц, а мощность СВЧ компоненты импульса составляет ~300 кВт. Теоретическое рассмотрение показало, что колебания напряжения обусловлены периодически повторяющимися процессами пробоя и заполнения структуры плазмой с последующим ее удалением обратным током. Частота и размах колебаний определяются плотностью тока и градиентом концентрации легирующих примесей в окрестности p-n-перехода.",

author = "Любутин, {Сергей К.} and РУКИН, {Сергей Николаевич} and Словиковский, {Б. Г.} and Цыранов, {Сергей Николаевич}",

year = "2013",

language = "Русский",

volume = "47",

pages = "658--666",

journal = "Физика и техника полупроводников",

issn = "0015-3222",

publisher = "Издательство {"}Наука{"}",

number = "5",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ГЕНЕРАЦИЯ МОЩНЫХ СВЧ КОЛЕБАНИЙ НАПРЯЖЕНИЯ В ДИФФУЗИОННОМ КРЕМНИЕВОМ ДИОДЕ

AU - Любутин, Сергей К.

AU - РУКИН, Сергей Николаевич

AU - Словиковский, Б. Г.

AU - Цыранов, Сергей Николаевич

PY - 2013

Y1 - 2013

N2 - Исследован механизм генерации мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде. Через диод с толщиной структуры 320 мкм, глубиной залегания p-n-перехода 220 мкм и площадью 0.5 см2 пропускался обратный ток амплитудой 2 кА. При среднем напряжении на диоде около 300 B и длительности СВЧ импульса ~200 нс максимальный размах наблюдаемых колебаний достигает 480 В. Частота колебаний находится в диапазоне от 5 до 7 ГГц, а мощность СВЧ компоненты импульса составляет ~300 кВт. Теоретическое рассмотрение показало, что колебания напряжения обусловлены периодически повторяющимися процессами пробоя и заполнения структуры плазмой с последующим ее удалением обратным током. Частота и размах колебаний определяются плотностью тока и градиентом концентрации легирующих примесей в окрестности p-n-перехода.

AB - Исследован механизм генерации мощных СВЧ колебаний напряжения в диффузионном кремниевом диоде. Через диод с толщиной структуры 320 мкм, глубиной залегания p-n-перехода 220 мкм и площадью 0.5 см2 пропускался обратный ток амплитудой 2 кА. При среднем напряжении на диоде около 300 B и длительности СВЧ импульса ~200 нс максимальный размах наблюдаемых колебаний достигает 480 В. Частота колебаний находится в диапазоне от 5 до 7 ГГц, а мощность СВЧ компоненты импульса составляет ~300 кВт. Теоретическое рассмотрение показало, что колебания напряжения обусловлены периодически повторяющимися процессами пробоя и заполнения структуры плазмой с последующим ее удалением обратным током. Частота и размах колебаний определяются плотностью тока и градиентом концентрации легирующих примесей в окрестности p-n-перехода.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=20319444

M3 - Статья

VL - 47

SP - 658

EP - 666

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 5

ER -

ID: 8207327