Standard

Программа для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорных сегнетоэлектриках: свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ. / Кособоков, Михаил Сергеевич (Inventor); Ефимов, Артем Владимирович (Inventor).
Федеральный институт промышленной собственности. Patent No.: 2023682322. Oct 24, 2023.

Research output: Patent

Harvard

Кособоков, МС & Ефимов, АВ Oct. 24 2023, Программа для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорных сегнетоэлектриках: свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ, Patent No. 2023682322. <https://www1.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=EVM&DocNumber=2023682322&TypeFile=html>

APA

Кособоков, М. С., & Ефимов, А. В. (2023). Программа для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорных сегнетоэлектриках: свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ. (Patent No. 2023682322). Федеральный институт промышленной собственности. https://www1.fips.ru/registers-doc-view/fips_servlet?DB=EVM&DocNumber=2023682322&TypeFile=html

Vancouver

Кособоков МС, Ефимов АВ, inventors. Программа для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорных сегнетоэлектриках: свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ. 2023682322. 2023 Oct 24.

Author

Кособоков, Михаил Сергеевич (Inventor) ; Ефимов, Артем Владимирович (Inventor). / Программа для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорных сегнетоэлектриках : свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ. Федеральный институт промышленной собственности. Patent No.: 2023682322. Oct 24, 2023.

BibTeX

@misc{1e0706062cdb4e22bc89aa6c4aed8d3f,
title = "Программа для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорных сегнетоэлектриках: свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ",
abstract = "Программа предназначена для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорном сегнетоэлектрике вблизи температуры замерзания с учётом полей, создаваемых связанными зарядами на межфазной границе неполярных включений. Расчёт пространственного распределения поля производится методом конечных элементов, после чего вычисляется доля объема, в которой локальное поле превышает пороговое значение. Интегрирование переключаемых зарядов используется для построения петли гистерезиса. Задаваемые параметры: период и размер неполярных включений, диэлектрическая проницаемость, спонтанная поляризация, шаг изменения поля. Программа может быть использована для изучения релаксорных сегнетоэлектриков. Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег. №2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).",
author = "Кособоков, {Михаил Сергеевич} and Ефимов, {Артем Владимирович}",
note = "Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег. №2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).; 2023682322",
year = "2023",
month = oct,
day = "24",
language = "Русский",
publisher = "Федеральный институт промышленной собственности",
address = "Российская Федерация",
type = "Patent",

}

RIS

TY - PAT

T1 - Программа для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорных сегнетоэлектриках

T2 - свидетельство о государственной регистрации программы для ЭВМ

AU - Кособоков, Михаил Сергеевич

AU - Ефимов, Артем Владимирович

N1 - Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег. №2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).

PY - 2023/10/24

Y1 - 2023/10/24

N2 - Программа предназначена для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорном сегнетоэлектрике вблизи температуры замерзания с учётом полей, создаваемых связанными зарядами на межфазной границе неполярных включений. Расчёт пространственного распределения поля производится методом конечных элементов, после чего вычисляется доля объема, в которой локальное поле превышает пороговое значение. Интегрирование переключаемых зарядов используется для построения петли гистерезиса. Задаваемые параметры: период и размер неполярных включений, диэлектрическая проницаемость, спонтанная поляризация, шаг изменения поля. Программа может быть использована для изучения релаксорных сегнетоэлектриков. Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег. №2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).

AB - Программа предназначена для моделирования петель диэлектрического гистерезиса в релаксорном сегнетоэлектрике вблизи температуры замерзания с учётом полей, создаваемых связанными зарядами на межфазной границе неполярных включений. Расчёт пространственного распределения поля производится методом конечных элементов, после чего вычисляется доля объема, в которой локальное поле превышает пороговое значение. Интегрирование переключаемых зарядов используется для построения петли гистерезиса. Задаваемые параметры: период и размер неполярных включений, диэлектрическая проницаемость, спонтанная поляризация, шаг изменения поля. Программа может быть использована для изучения релаксорных сегнетоэлектриков. Работа выполнена с использованием оборудования УЦКП «Современные нанотехнологии» УрФУ (рег. №2968), поддержанного министерством науки и высшего образования РФ (Проект 075-15-2021-677).

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=56001456

M3 - Патент

M1 - 2023682322

Y2 - 2023/10/16

PB - Федеральный институт промышленной собственности

ER -

ID: 57028926