Standard

ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ ИМПУЛЬСОМ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ С НАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ. / Гусев, Антон Игоревич; Любутин, С.К.; РУКИН, Сергей Николаевич et al.
In: Физика и техника полупроводников, Vol. 50, No. 3, 2016, p. 398-407.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Гусев, АИ, Любутин, СК, РУКИН, СН & Цыранов, СН 2016, 'ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ ИМПУЛЬСОМ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ С НАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ', Физика и техника полупроводников, vol. 50, no. 3, pp. 398-407.

APA

Гусев, А. И., Любутин, С. К., РУКИН, С. Н., & Цыранов, С. Н. (2016). ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ ИМПУЛЬСОМ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ С НАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ. Физика и техника полупроводников, 50(3), 398-407.

Vancouver

Гусев АИ, Любутин СК, РУКИН СН, Цыранов СН. ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ ИМПУЛЬСОМ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ С НАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ. Физика и техника полупроводников. 2016;50(3):398-407.

Author

Гусев, Антон Игоревич ; Любутин, С.К. ; РУКИН, Сергей Николаевич et al. / ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ ИМПУЛЬСОМ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ С НАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ. In: Физика и техника полупроводников. 2016 ; Vol. 50, No. 3. pp. 398-407.

BibTeX

@article{e0e62384c2a34614a28f9f1c75350726,
title = "ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ ИМПУЛЬСОМ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ С НАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ",
abstract = "Исследован процесс переключения силовых тиристоров из блокирующего в проводящее состояние импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах использовались низкочастотные тиристоры таблеточной конструкции с рабочим напряжением 2 кВ. На основные электроды тиристора подавался внешний импульс, обеспечивающий скорость нарастания напряжения в диапазоне 0.5-6 кВ/нс. В этих условиях время перехода тиристора в проводящее состояние находилось в диапазоне 200-400 пс. Найдены эмпирические соотношения, связывающие основные характеристики процесса переключения: напряжение включения, время нарастания импульса до переключения и время перехода в проводящее состояние. Численное моделирование показало, что для объяснения полученных результатов необходим учет процесса ионизации глубоких технологических дефектов.",
author = "Гусев, {Антон Игоревич} and С.К. Любутин and РУКИН, {Сергей Николаевич} and Цыранов, {Сергей Николаевич}",
year = "2016",
language = "Русский",
volume = "50",
pages = "398--407",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "3",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - ПЕРЕКЛЮЧЕНИЕ СИЛОВЫХ ТИРИСТОРОВ ИМПУЛЬСОМ ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЯ С НАНОСЕКУНДНЫМ ФРОНТОМ

AU - Гусев, Антон Игоревич

AU - Любутин, С.К.

AU - РУКИН, Сергей Николаевич

AU - Цыранов, Сергей Николаевич

PY - 2016

Y1 - 2016

N2 - Исследован процесс переключения силовых тиристоров из блокирующего в проводящее состояние импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах использовались низкочастотные тиристоры таблеточной конструкции с рабочим напряжением 2 кВ. На основные электроды тиристора подавался внешний импульс, обеспечивающий скорость нарастания напряжения в диапазоне 0.5-6 кВ/нс. В этих условиях время перехода тиристора в проводящее состояние находилось в диапазоне 200-400 пс. Найдены эмпирические соотношения, связывающие основные характеристики процесса переключения: напряжение включения, время нарастания импульса до переключения и время перехода в проводящее состояние. Численное моделирование показало, что для объяснения полученных результатов необходим учет процесса ионизации глубоких технологических дефектов.

AB - Исследован процесс переключения силовых тиристоров из блокирующего в проводящее состояние импульсом перенапряжения с наносекундным фронтом. В экспериментах использовались низкочастотные тиристоры таблеточной конструкции с рабочим напряжением 2 кВ. На основные электроды тиристора подавался внешний импульс, обеспечивающий скорость нарастания напряжения в диапазоне 0.5-6 кВ/нс. В этих условиях время перехода тиристора в проводящее состояние находилось в диапазоне 200-400 пс. Найдены эмпирические соотношения, связывающие основные характеристики процесса переключения: напряжение включения, время нарастания импульса до переключения и время перехода в проводящее состояние. Численное моделирование показало, что для объяснения полученных результатов необходим учет процесса ионизации глубоких технологических дефектов.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=25668205

M3 - Статья

VL - 50

SP - 398

EP - 407

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 3

ER -

ID: 7124959