Standard

РАБОТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕРЫВАТЕЛЯ ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЯХ ТОКА. / Любутин, Сергей К.; Рукин, Сергей Николаевич; Словиковский, Б. Г. et al.
In: Физика и техника полупроводников, Vol. 46, No. 4, 2012, p. 535-543.

Research output: Contribution to journal › Article › peer-review

Harvard

Любутин, СК, Рукин, СН, Словиковский, БГ & Цыранов, СН 2012, 'РАБОТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕРЫВАТЕЛЯ ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЯХ ТОКА', Физика и техника полупроводников, vol. 46, no. 4, pp. 535-543.

APA

Любутин, С. К., Рукин, С. Н., Словиковский, Б. Г., & Цыранов, С. Н. (2012). РАБОТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕРЫВАТЕЛЯ ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЯХ ТОКА. Физика и техника полупроводников, 46(4), 535-543.

Vancouver

Любутин СК, Рукин СН, Словиковский БГ, Цыранов СН. РАБОТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕРЫВАТЕЛЯ ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЯХ ТОКА. Физика и техника полупроводников. 2012;46(4):535-543.

Author

Любутин, Сергей К. ; Рукин, Сергей Николаевич ; Словиковский, Б. Г. et al. / РАБОТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕРЫВАТЕЛЯ ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЯХ ТОКА. In: Физика и техника полупроводников. 2012 ; Vol. 46, No. 4. pp. 535-543.

BibTeX

@article{be2eb33cbad64f06959b050199ba4f2f,
title = "РАБОТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕРЫВАТЕЛЯ ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЯХ ТОКА",
abstract = "Исследован механизм работы полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода) при плотности обрываемого тока в десятки кА/см2. В эксперименте максимальная плотность обратного тока достигала 43 кА/см2 за время ~40 нс. Приведены экспериментальные данные для SOS-диодов со структурой p+-p-n-n+ с глубиной залегания p-n-перехода от 145 до 180 мкм. Методами численного моделирования исследованы процессы динамики электронно-дырочной плазмы в диоде на стадиях накачки и обрыва тока. Показано, что обрыв тока связан с образованием области сильного электрического поля в тонком (~45 мкм) слое высоколегированной p-области структуры, в котором концентрация акцепторов превышает 1016 см-3, а процесс обрыва тока слабо зависит от глубины залегания p-n-перехода.",
author = "Любутин, {Сергей К.} and Рукин, {Сергей Николаевич} and Словиковский, {Б. Г.} and Цыранов, {Сергей Николаевич}",
year = "2012",
language = "Русский",
volume = "46",
pages = "535--543",
journal = "Физика и техника полупроводников",
issn = "0015-3222",
publisher = "Издательство {"}Наука{"}",
number = "4",

}

RIS

TY - JOUR

T1 - РАБОТА ПОЛУПРОВОДНИКОВОГО ПРЕРЫВАТЕЛЯ ПРИ СВЕРХВЫСОКИХ ПЛОТНОСТЯХ ТОКА

AU - Любутин, Сергей К.

AU - Рукин, Сергей Николаевич

AU - Словиковский, Б. Г.

AU - Цыранов, Сергей Николаевич

PY - 2012

Y1 - 2012

N2 - Исследован механизм работы полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода) при плотности обрываемого тока в десятки кА/см2. В эксперименте максимальная плотность обратного тока достигала 43 кА/см2 за время ~40 нс. Приведены экспериментальные данные для SOS-диодов со структурой p+-p-n-n+ с глубиной залегания p-n-перехода от 145 до 180 мкм. Методами численного моделирования исследованы процессы динамики электронно-дырочной плазмы в диоде на стадиях накачки и обрыва тока. Показано, что обрыв тока связан с образованием области сильного электрического поля в тонком (~45 мкм) слое высоколегированной p-области структуры, в котором концентрация акцепторов превышает 1016 см-3, а процесс обрыва тока слабо зависит от глубины залегания p-n-перехода.

AB - Исследован механизм работы полупроводникового прерывателя тока (SOS-диода) при плотности обрываемого тока в десятки кА/см2. В эксперименте максимальная плотность обратного тока достигала 43 кА/см2 за время ~40 нс. Приведены экспериментальные данные для SOS-диодов со структурой p+-p-n-n+ с глубиной залегания p-n-перехода от 145 до 180 мкм. Методами численного моделирования исследованы процессы динамики электронно-дырочной плазмы в диоде на стадиях накачки и обрыва тока. Показано, что обрыв тока связан с образованием области сильного электрического поля в тонком (~45 мкм) слое высоколегированной p-области структуры, в котором концентрация акцепторов превышает 1016 см-3, а процесс обрыва тока слабо зависит от глубины залегания p-n-перехода.

UR - https://elibrary.ru/item.asp?id=20319141

M3 - Статья

VL - 46

SP - 535

EP - 543

JO - Физика и техника полупроводников

JF - Физика и техника полупроводников

SN - 0015-3222

IS - 4

ER -

ID: 9225978